专利名称：基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：魏同波,赵捷,魏学成,王军喜,李晋闽申请号：CN201910106242.1申请日：20190201公开号：CN109841711A公开日：20190604
摘要：一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，其包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P‑GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔或微/纳米柱阵列，包含n(n≥1)个微/纳米孔或微/纳米柱；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中或微纳米柱阵列间隙之间；通过改变混合量子点的配比，结合量子阱中In的组分的调节，形成全光谱，实现高显色性能。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：李坤
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