石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究

・２８０・　材料导报　２０１７年５月第３１卷专辑２９　石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究　陈绍源　，林晓芝　（１汕头超声显示器（二厂）有限公司，汕头５１５０６５；２汕头职业技术学院自然科学系，汕头５１５０４１）　摘要　新型二维材料石墨烯，因其优异特性被认为是众多领域的理想新型功能材料，其产业化应用是当前及未来的重要研　究课题之一。综述了针对性提高石墨烯导电薄膜透光率和导电性能的可控制备的最新研究进展，包括可控制备大尺寸、大面积石　墨烯，以及通过掺杂或与其他材料形成复合材料等方法有效提高石墨烯薄膜的光电性能，并对石墨烯透明导电薄膜电极在触摸屏、　显示屏等的实用化应用进行了探讨和展望。　关键词　石墨烯透明导电薄膜可控制备实用化应用研究　文献标识码：Ａ　中图分类号：ＴＢ３８３　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　Ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍｓ　ａｎｄ　Ｉｔｓ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｉｚｅｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ＣＨＥＮ　Ｓｈａｏｙｕａｎ　。ＬＩＮ　Ｘｉａｏｚｈｉ０　（１　Ｓｈａｎｔｏｕ　Ｇｏｗｏｒｌｄ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｃｏ．，Ｉ　ｔｄ．，Ｓｈａｎｔｏｕ　５１５０６５；２　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，　Ｓｈａｎｔｏｕ　Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃ，Ｓｈａｎｔｏｕ　５１５０４１）　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ａｓ　ａ　ｎｏｖｅｌ　ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ　ｍａｔｅｒｉａｌ，ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｉｓ　ｒｅｇａｒｄｅｄ　ａｓ　ａ　ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ　ｎｅｘ卜ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｗｉｔｈ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ，ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｉｔ　ｈａｓ　ｗｉｄｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｐｒｏｓｐｅｃｔ　ｉｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｇｒｅｅｎ　ｅｎｅｒｇｙ　ａｎｄ　ｎｅｗ　ｍａｔｅｒｉａ１．　Ｔｈｅ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｎ　ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｉｚｅｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｉｓ　ｏｎｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｏｓｔ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｔｏｐｉｃ　ａｔ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ａｎｄ　ｆｕｔｕｒｅ．Ｆｏｒ　ｔｈｉｓ　ｒｅａｓｏｎ，ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ　ｒｅｖｉｅｗｅｄ　ｒｅｃｅｎｔ　ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍｓ．Ｍｅａｎｗｈｉｌｅ，ｉｔｓ　ｉｎｄｕｓｔｒｉａ—　ｌｉｚｅｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｓｉｔｕａｔｉｏｎ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｆｉｅｌｄｓ　ｏｆ　ｔｏｕｃｈ　ｓｃｒｅｅｎ　ａｎｄ　ｄｉｓｐｌａｙ　ｗａｓ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ　ｇｒａｐｈｅｎｅ，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ，ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｉｚｅｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　０　引言　自２００４年英国曼彻斯特大学Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ和Ｇｅｉｍ团队　行了探讨和展望。　在室温下从普通石墨中剥离制备出石墨烯以来口］，对石墨烯　的研究便成了学术界和产业界的热点。理想的石墨烯是具　有蜂窝状晶格的单层二维原子晶体（见图１）ｌ】　］，其碳原子４　个价电子中的３个以ｓｐ　杂化形式与相邻３个碳原子相连　接，并贡献剩余１个Ｐ轨道上的电子形成大丌键，此二元化　电子价键的独特结构赋予了石墨烯在光、电、热、力等诸多方　面超凡的性能，并决定了其在透明导电薄膜电极ｌ＿５剞、柔性电　子器件　嵋和光电照明［１。　等诸多应用领域的发展前景与潜　力。尤其是被认为石墨烯最接近实用化应用之一的石墨烯　图１石墨烯晶体结构示意图（Ａ和Ｂ用不同颜色　标记表示两套等价的子晶格）［　Ｆｉｇ．１　Ｃｒｙｓｔａｌｌ０ｇｒａｐｈｉｃ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ．　Ａｔｏｍｓ　ｆｒｏｍ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｌａｔｔｉｃｅｓ（Ａ　ａｎｄ　Ｂ）ａｒｅ　ｍａｒｋｅｄ　ｂｙ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｃｏｌｏｒｓ［２］　透明导电薄膜电极￣１４－１５］，近年在结构、性能和制备等方面已　经取得了许多研究成果，但要真正实现石墨烯透明导电薄膜　的产业化应用，现阶段还有不少问题亟待解决，包括如何低　成本、规模化地可控制备出导电和透光性能俱佳的高品质石　墨烯透明导电薄膜，以确保薄膜电极材料最受关注的导电性　和透光率能够满足不同的应用需求［１　，这也是石墨烯研究领　１　石墨烯透明导电薄膜的可控制备　基于石墨烯及其复合物的透明导电薄膜至今已发展出　多种制备方法，报道较多的有剥离法＿　、外延生长法口　、基　１于液相分散的氧化还原法＿１胡以及化学气相沉积法　（ＣＶＤ）［１９　２４３等。作为透明导电薄膜电极材料，导电性和透光　率是石墨烯透明导电薄膜能否满足应用需求的关键指标，研　究者们已通过不同方法对石墨烯薄膜形状、层数、尺寸和元　素掺杂等进行可控制备ｌ＿２　，以提高薄膜导电性和透明性，其　域的重点和热点。为此，本文综述了针对性提高石墨烯导电　薄膜透光率和导电性能的可控制备的最新研究进展，并对石　墨烯透明导电薄膜电极在触摸屏、显示屏等的实用化应用进　＊广东省战略性新兴产业区域集聚发展试点新一代显示技术领域项目（粤发改高技术［２０１４１７９１号）　陈绍源：男，１９８１年生，硕士，主要从事新型触控平板显示技术研究与规划　Ｅ－ｍａｉｌ：ｓｈｙｃｈｅｎ＠ｇｏｗｏｒｌｄ—ｌｃｄ．ｃｏｒｎ　石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究／陈绍源等　中比较有效的途径包括：（１）提高石墨烯片尺寸，减少搭接边　界；（２）通过掺杂或与其他材料形成复合材料。　・　２８１　・　层石墨烯薄膜，石墨烯的形成周期仅为无前驱气体加热ＣＶＤ　法的１／５，其可见光范围的透光率可达９５　、方阻为（１４６±　１５）Ｑ／ｓｑ　。北京大学刘开辉等　在铜箔下方巧妙地设置　一１．１　大尺寸、大面积石墨烯的可控制备　石墨烯晶界的存在、石墨烯晶畴拼接和片层间搭接产生　的搭接电阻．都是影响透明导电薄膜电性能的主要因　层平面氧化物作为连续供氧源（见图２），实现了在铜箔上　快速合成大面积的单晶石墨烯．连续供氧能够显著降低碳源　（甲烷）分解的能垒，提高了铜表面的单晶石墨烯生长速率，５　Ｓ之内能横向生长出０．３　ｍｍ的单晶石墨烯．将单晶石墨烯　素¨２　ｊ，石墨烯片的尺寸越小。组成透明导电薄膜的内部搭　接就越多，电子传输要克服的层间隧道阻碍就越大，电阻就　越大。制备尽可能大尺寸单晶、大面积单层或多层石墨烯，　有助于减少薄膜的褶皱或叠层、层间搭接边界，是提高薄膜　导电性的有效途径。而由于金属对石墨烯的生长有催化作　用，因此采用金属基底催化的ＣＶＤ法是目前制备大尺寸、大　面积石墨烯薄膜的最常用方法［ａｏ－ａ１］。　薄膜的制备速度提高了１５０倍．对工业化合成大面积高品质　石墨烯也有重要的指导意义。一般而言，表面电阻５００　Ｑ／ｓｑ　的透明导电膜已能满足电阻式触摸屏要求，低于６Ｏ　Ｄ￣／ｓｑ的　低阻抗导电膜则可以用于制造液晶显示器或电容式触摸　屏［　ｊ，经图案化后的上述石墨烯薄膜转移到不同的衬底，　１．１＿ｌ　金属基底上ＣＶＤ法制备大面积石墨烯薄膜　韩国研究人员ＬＩｇ］在２００９年提出了以甲烷作碳源用　ＣＶＤ法在金属镍上生长大面积的少数层石墨烯透明导电薄　膜的方法：在ＳｉＯ：／Ｓｉ衬底上先沉积一层厚度不到３００　ｎｎｌ的　便可用于制作大面积的电极、触摸屏、显示屏等电子器件，为　石墨烯的商业化应用提供了一条有效的途径。　极薄的金属镍，然后在甲烷、氢气和氩气的混合气流中加热　至１　０００℃，再将其快速冷却至室温，便能实现在镍层上沉积　６～１０层石墨烯，所制备的石墨烯薄膜达１　ｃｍ×１　ｃｍ．其可　见光透光率为８Ｏ　．最低方阻仅为２８０　Ｑ／ｓｑ。同年，Ｉ　ｉ等　在金属铜箔上催化生长石墨烯。并通过聚甲基丙烯酸甲酯　（ＰＭＭＡ）转移得到４．５　ｃｍ×４．５　ｃｍ更大面积、质量完好的　㈤ｃ“Ｔ　，了　一　石墨烯透明导电薄膜，４层石墨烯层叠的薄膜方阻可低至　３５０　Ｑ／ｓｑ，透光率约为９Ｏ　。２０１０年，韩国成均馆大学与三　星集团、日本名城大学的研究人员¨３胡采用卷对卷方式，同样　先在铜箔上催化生长单层石墨烯，然后通过热释放胶带转移　到目标衬底，最终得到３０英寸的石墨烯透明导电薄膜，经过　次转移得到的石墨烯薄膜表面电阻值约为１２５　Ｑ／ｓｑ，透光　率为９７．４　，而结合硝酸改性处理（ｐ型掺杂）、经过重复转　一［二　二］　图２铜箔下方设置平面氧化物（Ａ　（）、．）基底作为氧源：　实验设计简图（ａ）；侧视图（ｂ）　Ｉ＝；ｊ　Ｆｉｇ．２　Ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　Ｃｕ　ｆｏｉｌｓ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｂｙ　ａ　ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｏｘｙｇｅｎ　ｓｕｐｐｌｙ：ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｏｆ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｄｅｓｉｇｎ（ａ）；ｓｉｄｅ　ｖｉｅｗ（ｂ）［嘲　１．１．２介电层上直接制备大面积石墨烯薄膜　虽然利用金属催化生长石墨烯有助于提高制备石墨烯　的质量和效率，但在金属基底上形成的石墨烯薄膜必须依靠　移得到的４层石墨烯薄膜表面电阻值可降至３０　Ｑ／ｓｑ，透光　率仍有９Ｏ　，已达到１Ｔ（）的性能水平。　为进一步提高石墨烯的生长速率，快速制备石墨烯薄　中介载体辅助等方法转移到玻璃、ｓｉ（）：、ＰＥＴ等介电材料表　面上才能有效地构筑电子器件　”‘　］，复杂的转移过程不可　膜，日本索尼公司改良了在铜箔上合成石墨烯的卷对卷ＣＶＤ　系统，采用低压热ＣＶＤ法制备了长约１００米、宽２３０　ｎ！ｍ的　高品质石墨烯导电薄膜，表面电阻值约５００　ｆＺ／ｓｑ，经ＡｕＣｌ　掺杂处理后电阻最低降至１５０　Ｑ／ｓｑ，实验还证实了延长对铜　箔的退火预处理以及控制适当的石墨烯生长温度是制备高　品质石墨烯薄膜的重要因素＿３　，因为铜等金属催化剂基底的　表面微纳结构及其形貌对于石墨烯生长过程中褶皱的形成　避免地会造成石墨烯的褶皱、缺陷及污染和材料浪费等问　题，严重影响石墨烯导电薄膜的性能，因此，科研人员尝试直　接在介电层材料上可控制备大尺寸、大面积的高品质石墨　烯ｌ２　例。Ｔｅｎｇ等　“　和韩国的Ｋｉｍ等　Ｊ分别报道了利用非　接触式的金属铜远程催化方法在ＳｉＯ　绝缘基底、甚至在玻璃　基底上　直接制备高品质石墨烯（见图３）。为了完全避免　金属污染，中科院刘云圻院士课题组通过氧辅助法在ＳｉＯ　基　有密切关系，对金属基底采用三聚氰胺等预处理或延长退火　等预处理，可有效控制石墨烯褶皱的形貌及数量，形成大片　的石墨烯。提高薄膜的透光性、导电性和一致性，从而可控地　制备高质量的石墨烯薄膜［＝ｉ　］。韩国成均馆大学Ｒｙｕ等　ｌ｛ｌ　底上直接制备出单层石墨烯　．随后又提出“两段式”生长方　法，先在成核过程提供较高的碳源浓度，而后在生长过程再　降低浓度，从而控制成核和晶区尺寸，实现在ｓ　Ｎ　表面直接　制备高品质石墨烯薄膜［５　。刘忠范院士课题组［州近年在玻　在无氢条件下采用快速热化学气相沉积法（ＲＴ－ＣＶＤ），结合　卷对卷蚀刻、转移等处理，更快速、低温和大量地制备出４００　ｍｍ×３００　ｍｍ的大面积石墨烯膜，相比传统的热ＣＶＤ法从　开始加热到合成后冷却需花上数小时的制备周期，ＲＴ—ＣＶＤ　法仅需４０　ｍｉｎ便可完成。大大缩减了制备时间，所得的石墨　璃表面直接可控制备石墨烯薄膜方面也做了大量研究，包括　在无金属催化的常压ＣＶＤ体系下，分别研究了石墨烯在固　态耐高温玻璃表面和熔融态玻璃表面的制备方法，已在石英　玻璃和蓝宝石玻璃表面制备出６　ｃｍ×４　ｃｍ和１１　ｃｍ×６　ｃｍ　等的石墨烯薄膜。研究还表明，通过增加碳源浓度、升高生　长温度、延长生长时间以及高温退火等方法能有效调节石墨　烯在固态玻璃基底表面的生长层数，减少石墨烯缺陷，提高　烯膜电阻值为（２４９４－１７）ｇ］／ｓｑ。我国中科院重庆绿色智能　技术研究院人员利用前驱气体预热化学气相沉积法（ＰＴ－　ＣＶＤ）在铜箔基底上快速制备了３００　ｍｍＸ　３００　ｍｍ大面积单　材料导报　石墨烯薄膜导电性和均匀性　。不同于固态玻璃基底，百墨　烯在熔融态玻璃表面的生长，单纯依靠延长生长时间并不能　有效控制其薄膜的厚度，且除了碳源浓度和生长温度以外．　氢气浓度和石墨烯形成后熔融态玻璃的降温过程也足影响　２０１７年５月第３１卷专辑２９　固态的碳源（Ｎｉ自带痕量碳）和氮源（蒸镀的硼携带微量氮），　利用高温退火下碳元素和氮元素的共偏析现象，成功实现了　石墨烯的ｎ型氮掺杂。除了ｎ型掺杂，还能通过Ｐ型掺杂提　高石　烯透明薄膜的导电性。Ｋｉｍ等　一先以常规的金属催　石墨烯在熔融态玻璃表面生长品质的重要因素　。　（ａＪ金属线圈　石英管加热元件　铜箔　罔３反应装嚣示意图（ａ）和在玻璃衬底上制得的　垂直生长的石墨烯膜（ｂ）　？］　Ｆｉｇ．３　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐｌａｓｍａ—ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｒｅａｃｔｏｒ（ａ）．ａｎｄ　ａ　ｐｈｏｔｏ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖ（；　ｆｉｌｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｎ　ａ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｈｓｔｒａｔｅ（ｂ）　１．１．３　ＰＥＣＶＤ法较低温度制备石墨烯薄膜　Ｅ｝ｊ于缺乏催化作用，上述在绝缘基底　生长石墨烯的效　率相埘较低，且ｌ　０００℃以上的高温生长条件既能耗高、成本　高。又对已成型的普通玻璃器件、ＰＥ１、薄膜等绝缘基底具有　一定的破坏性。因此，Ｚｈａｎｇ等　采用等离子体增强化学气　相沉积法（ＰＥＣＶＩ）），利用高能的等离子体激发碳源分子分　解，无需催化剂、低至５５０℃左右的反应温度便可在Ｓｉ（）！、随　宗石、玻璃晶圆等多种绝缘基底Ｊ：直接生长出纳米晶　墨　烯．还在４英寸玻璃品圆上形成平整的石墨烯薄膜。通过控　制生长时间可以调节石墨烯薄膜的透光率和导电性，在玻璃　基底　制得的石墨烯薄膜透光牢可达到８５　，其方阻为７　ｋｆｌ／ｓｑ。Ｓｕｎ等　也通过ＰＥ（、ＶＩ）方法在多种商品化玻璃表　面以４００￣６００℃的低温生长　墨烯薄膜，并通过控制生长　条件来调节石墨烯的透光率和导电性，如增大碳源浓度能有　效提升石墨烯的导电性。ＰＥＣＶＤ制备石墨烯的生长速度比　高温热ＣＶＤ要快，但由于生长温度较低，未经任何掺杂、退　火处理的石攫烯其结晶质量较差、畴区尺寸较小、缺陷较多，　方阻相对较大，因此，仍需通过优化生长条件或其他改性方　法以提升石墨烯薄膜的光电性能品质。　１．２石墨烯的掺杂与复合　１．２．１　石墨烯薄膜的掺杂　提高石墨烯导电薄膜光电性能的另一有效途径就是通　过掺杂增加石墨烯的载流子浓度，使石墨烯的费米面从狄拉　克点　移或下移．有效地打开石墨烯的带隙　’　．达到调控　石墨烯电学和光学性能的效果，液体、气体、高分子聚合物、　金属和非金属元素等都可用作通过电荷转移方式提高石墨　烯载流子浓度的掺杂物。宫建新　】课题组用高能离子轰击　使石墨烯产生碳原子空位缺陷，然后在氨气气氛　高温退　火，利用氨气分解产生的氮原子填补碳原子空位缺陷．实现　氮原子掺杂，由氮原子掺杂后的石墨烯制备的场效应器件　（ＦＥＴ）具有ｎ型导电性质，进一步证实了氮原子的掺杂效　果．另外，通过调节离子注入剂艟、退火温度等条件，能够实　现精确可控的原子掺杂，对石墨烯的理论研究和实际应用有　霞要意义。刘忠范课题组　通过在金属镍（Ｎｉ）基底中植入　化ＣＶＤ法制备出大面积石墨烯薄膜．然后用ＡｕＣ１　溶液作　掺杂剂实现ｒ对石墨烯薄膜的Ｐ型掺杂．掺杂后的石举烯薄　膜方阻最低达１５Ｏ　Ｑ．／Ｓ｛ｔ，卡ｕ应的透光率为８７　。问期，韩周　成均馆人学和三星先进技术研究院的研究人员　－　－Ｉｉ＝ｊ＝】样用　ＡｕＣＩ．、溶液以逐层（Ｉ　Ｉ３Ｉ　）掺杂的方式对金属催化ＣＶＩ）法牛　长的石果烯薄膜进行掺杂，掺杂处理后的４层　墨烯薄膜面　积为¨ＣｌＩ１×１１　Ｃｌｆｌ，面电阻只有５４￣／／ｓｑ、透光率为８５　．导　电性能和耐弯折的力学性能都得到了提升。除此以外。硝酸　（ＨＮ（）　）＿　ｌ和臭氧（（）：　）　。。也常被件ｊ作掺杂剂来提高石墨烯　薄膜的光电性能，如韩闲研究人员经硝酸处理（Ｐ型掺杂）并　多次转移得到的４层百攫烯薄膜表面电阻值可降至３０　Ｑ　ｓｑ　“。Ｚｈｅｎｇ等　也曾研究用硝酸和ｓ（）Ｂｒ。掺杂处理改善　石墨烯透明导电薄膜的光电性能，硝酸处理可有效去除残留　在　墨烯薄膜中的各类杂质，而Ｓ（）Ｂｒ！掺杂石墨烯　，一Ｂｒ　和一ｓ（）Ｂｒ官能团　石墨烯片层键合，这些掺杂分子和官能团　具有较强的电负性可作为电子受体，使费米能级移向价带，　从而增加了石墨烯的空穴密度，进而显著降低电５Ｈ率，面电　阻可减小２（）　～５Ｏ　。中科院金属研究所的成会明院土　、　课题组则用臭氧（（）　）对单层石墨烯薄膜进行处理，往低于８０　℃条件下经短时问臭氧气氛处理的石墨烯会因形成Ｐ型掺　杂而使电阻率明显下降；但升高温度和延长暴露时问．反而　导致百墨烯的电阻增大，这一结论也适用于ＨＮ（）　和ＡｕＣ１。　等其他掺杂物　…。要提高石墨烯导电性、获得高的载流子迁　移率，最重要【夭１素是掺杂物聚集的团簇尺寸，因为从对掺杂　过程的电荷传输机制分析来看，掺杂物刚开始聚集时可通过　形成订序的散射粒子而有效地提高石墨烯的导电率，但随着　聚集时间的延长和闭簇的增大，反而会因产生电场极化效应　而限制＿ｒ掺杂的功效。且这种限制规律与被吸附掺杂物的性　质关系极小，掺杂物的主要作用足提供载流子，而非直接参　载流子的传输。　１．２．２石墨烯复合薄膜　适量的掺杂改性可增加石墨烯导电薄膜的载流子浓度，　提升性能，但研究表明掺杂剂和石耀烯之间的相互作用并不　稳定，一定程度上影响了掺杂效应的寿命　，暴露在空气中　一段时间后电阻值会变大．因此，除了对石墨烯本身进行掺　杂改性，科研人员还提出通过复合来提了１‘石墨烯性能。自从　２００６年Ｒｕｏｆｆ课题组　。。首次报道石墨烯　聚苯乙烯（ＰＳ）导　电纳米复合材料以后，石墨烯及其复合功能材料的相关研究　取得ｒ飞速的发展，其中，以基于碳纳米材料的石墨烯　碳纳　米管复合薄膜以及石墨烯与制、银等金属纳米线的复合薄膜　最为常见。Ｐｅｎｇ等　曾制备了石墨烯　多壁碳纳米管复合　薄膜，并将其转移到ＰＥ　Ｆ基板上．利用ＨＩ酸进行还原，再经　硝酸处理，最终所制备的复合透明导电薄膜透过率为８（）　，　方阻为２４０［１／ｓｑ。（；ｏｒｋｉｎａ等报道了石墨烯／荦壁碳纳米管　（ＳＷＮＴ）复合材料，不同的还原和退火条件得到不　的电阻　值，最低阻值只有７３　ｎ／ｓｑ、透光率为９（）　。他们的制备　力‘法简单、呵行，将ＳＷＮＴ薄膜沉积到基板上，然后在　石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究／陈绍源等　ＳＷＮＴ薄膜表面喷涂沉积一薄层氧化石墨烯，接着对氧化　・　２８３　・　墨烯进行还原，同时还用ＡｕＣＩ　．对复合物进行掺杂，进一步　３　结语　石墨烯作为最前沿的二维新材料，在可控制备透明导电　薄膜等研究与应用方面已经取得了较大进展，但要真正实现　大规模的工业化应用．现阶段难度不小，很多问题仍有待优　化解决。首先，制备大面积、单层石墨烯导电薄膜一般要求　提高复合材料的导电性能。低密度的碳纳米管可作为导电　桥连接石墨烯颗粒间的晶界．减少电子散射．从而降低电阻　值；同时．碳纳米管网络还能增强掺杂物与石墨烯间的结合　力，提高掺杂的稳定性。　”Ｊ。在石墨烯与金属纳米线复合薄膜　的研究中，由于金属纳米线同样可以作为石墨烯晶界问的导　电桥梁‘圳，并与石墨烯形成协同效臆而大大提升复合物的导　在较高温度或催化条件下进行，成本高昂、均匀性有待提高，　需进一步研究开发低成本、快速成熟的规模化生产制备方　案；其次，掺杂或与其他材料复合的石墨烯薄膜，如何维持其　导电性和透光性的稳定度，尤其是替代ＩＴ（）电极应用在触摸　电性．因此常把导电性较好的银纳米线　粒　或银纳米颗　组装到薄膜中以增强薄膜的导电性．方阻值可低至８６　Ｑ　ｓｃｌ＇甚至组装成石墨烯，银纳米线／石墨烯的夹心结构复合　薄膜．厅阻更低至（１９．９±１．２）ｎ　。　图　石墨烯／碳纳米管复合薄膜示意图（虚线代表　石墨烯颗粒，实线代表碳纳米管）（ａ）；石墨烯　复合薄膜二维电阻网络模型（ｂ）　”　Ｆｉｇ．４　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｏｆ　ａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｓｈｅｅｔ　ｗｉｔｈ　ａ　ｌａｙｅｒ　ｏｆ　ｎａｎｏｔｕｂｅｓ（ｔｉｍ　ｄｏｔｔｅｄ　ｌｉｎｅｓ　ｍａｒｋ　ｔｈｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｇｒａｉｎｓ　ａｎｄ　ｔｈｅ　（　、ＮＴｓ　ａｒｅ　ｓｈｏｗｎ　ａｓ　ｆｕｌｌ　ｌｉｎｅｓ）（ａ）：ａ　２Ｄ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｎｅｔｗｏｒｋ　ｍｏｄｅｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｓｈｅｅｔ（ｂ）　”　２石墨烯薄膜电极的实用性研究　石墨烯透明导电薄膜的应用研究很多．其中作为透明导　电薄膜电极应用于触摸屏、液晶显示屏（ＬＣＤ）和有机电致发　光ｌ＿　极管（（）ＬＥＤ）等器ｆＦＪ－：，足石墨烯薄膜电极最接近实用　化的应用研究之一。也是一直以来石墨烯专利布局的热点技　术领域之一［　。Ｇｅｉｍ团队早在２００８年便报道了将石　烯　薄膜电极制成ＬＣＤ，得到高对比度的Ｉ．ＣＤ器件。　。。使用行　墨烯代替ＩＴ（）作为透明导电膜的（）Ｉ　ＥＤ，发光效率非常　高　“・　一，外量子效率（ＥＱＥ）可高达４Ｏ．８　。且耐弯曲性和　电稳定性良好，更适用于柔性显示。韩国Ｂａｅ等　把用卷对　卷方式和ＣＶＤ法制备所得的石墨烯薄膜制作成四线电阻式　触摸屏。Ｒｙｕ等　将在无氯条件下用快速热ＣＶＤ法制得的　低方阻石墨烯薄膜也制作成可支持多点触摸的电容式触摸　屏。我国中科院重庆绿色智能技术研究院人员把以ＣＶＤ法　制备的大面积石墨烯导电薄膜制成电容式触摸屏并组装到　手机中试用，为石墨烯薄膜的实用化提供了可行性［“　。我喇　是较　歼展石墨烯产业化研究的国家．采用中科院重庆绿色　智能技术研究院技术的露庆墨希科技有限公司在２Ｏ１３年便　宣布建成了我国首条大面积石墨烯薄膜中试生产线，近年来　还相继发布了石墨烯手机、石墨烯柔性屏手机、石墨烯电子　纸显示屏等实用性产品，是我国石墨烯产业化应用研究的代　表性企、ｌ　。　屏、显示屏等对外观要求极高的光学电子器件上，如何避免　莫尔效应（Ｍｏｉｒｅ　ｅｆｆｅｍ）　、电极线路腐蚀　，提高电极使用　寿命足值得深究的重要课题；此外，目前尚未形成完整的石　墨烯产业链，仍需学术界和产业界积极推动石墨烯与下游实　际应用结合，加速已接近成熟的石墨烯技术成果实现产业　化。　本征石墨烯因其优异特性被认为足众多领域的理想新　功能材料，其产业化应用研究依然是未来的重要研究课题　之一。在三星、索尼、华为等大型跨国科技导向型企业的推　动下．石墨烯已开始迅速导人触控显示、电池等电子信息行　业及其他应用领域，并逐步展现出巨大的潜在商业价值，相　信百墨烯的规模化制备和应用技术最快能在３～５年内实现　突破．届时将为众多行业带来颠覆性的改变。　参考文献　ｌ　Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ　Ｋ　Ｓ，Ｇｅｌｍ　Ａ　Ｋ，Ｍｏｒｏｇｏｖ　Ｓ　Ｖ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｉｎ　ａｔｏｍｉｃａｌｌｙ　ｔｈｉｎ　ｃａｒｂｏｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ３．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００４，３０６（５２９６）：６６６．　２　Ｋａｔｓｎｃｌｓｏｎ　Ｍ　１．Ｇ－ｒａｐｈｅｎｅ：Ｃａｒｂｏｎ　ｉｎ　ｔｗｏ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ　Ｔｏｄａｙ．２００７．１０（１—２）：２０．　３　Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ　Ｋ　Ｓ．Ｆａｌ　Ｋｏ　Ｖ　Ｉ．Ｃｏｌｏｍｂｏ　Ｉ　．ｅｔ　ａ１．Ａ　ｒｏａｄｍａｐ　ｆｏｒ　ｇｒａ　ｐｈｅｎｅ［Ｊ　．Ｎａｔｕｒｅ，２０ｌ　２．４９０（７４１９）：ｌ９２．　４　１．ｉａｏ　Ｉ　，Ｐｅｎｇ　Ｈ．Ｉ　ｉｕ　Ｚ．Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｍａｋｅｓ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｂｅｙｏｎｄ　ｇｒａｐｈｅｎｃ　｜－Ｉ　Ｊ．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２Ｏ１　４．１　３６（３５）：１２１９４．　５　Ｉ．ｅｅ　Ｙ。Ａｈｎ　Ｊ．Ｇｒａｐｈｅｎｅ—ｂａｓｅｄ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍｓ　Ｅ　Ｊ］．　Ｎａｎｏ：Ｂｒｉｅｆ　Ｒｅｐ　Ｒｅｖ．２０１３，８（３）：１３３０００１．　６　Ｚａｎ（１ｉａｔａｓｈｂａｒ　Ａ，Ｉ　ｅｅ（　Ｈ．Ａｎ　Ｓ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ａｎｄ　ｓｔｉｆｆｎｅｓｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅ∽［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０１４，　５：３１８６．　７　Ｋｉｍ　Ｓ，Ｋｗｏｎ　Ｋ　Ｃ．Ｐａｒｋ　Ｊ　Ｙ．ｅｔ　ａ１．Ｃｈａｌｌｅｎｇｅ　ｂｅｙｏｎｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ：　Ｍｅｔａｌ（）ｘｉｄｅ／ｇｒａｐｈｅｎｅ／ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅ—　ｖｉｃｅｓＥＪ￣．ＡＣＳ　Ａｐｐｌ　Ｍａｔｅｒ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２０１６，８（２０）：１２９３２．　８　Ｋａｕｒ　Ｓ．Ｋｉｒｎ　Ｙ　Ｊ．Ｍｉｈｏｎ　Ｈ．ｅｔ　ａ１．Ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ａｄａｐｔｉｖｅ　ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｌｅｎｓｅｓＬ１　Ｊ＿（）ｐｔ　Ｅｘｐｒｅｓｓ，２０　ｌ　６，２４（８）：８７８２．　９　Ｉ　ｅｅ　Ｊ，Ｈａｎ　Ｔ　Ｈ，Ｐａｒｋ　Ｍ　Ｈ．ｅｌ　ａ１．Ｓｙｎｅｒｇｅｔｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ　ｆｏｒ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｇｒａｐｈｅｎｅ—ｂａｓｅｄ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ】．　Ｎａｔ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０ｌ６，７：１１　７９１．　１０　Ｋｉｍ　Ｈ．Ｂａｅ　Ｓ　Ｈ．Ｈａｎ　Ｔ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．（）ｒｇａｎｉｃ　ｓｏｌａｒ　ｃｅｉｌｓ　ｕｓｉｎｇ（、ＶＩ）＿　ｇｒｏｗｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ［Ｊ．Ｊ．　Ｎａｎ０ｔｅｃｈｎｏｌ０ｇｙ，２０１４．２５（１）：　０１ｈ】（）ｌ２．　１　ｌ　Ｚｈａｎｇ　Ｚ，Ｄｕ　Ｊ．Ｚｈａｎｇ　Ｄ．ｅｔ　ａ１．Ｒｏｓｉｎ—ｅｎａｂｌｅｄ　ｕｌｔｒａｃｌｅａｎ　ａｎｄ　ｄａ－　ｍａｇｅ——ｆｒｅｅ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｏｒ　ｌａｒｇｅ－ａｒｅａ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ－ｕ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｃｏｍｍｕｎ．２０１７．８：１．ｔ５６０．　１２　Ｗａｎｇ　Ｌ．Ｃｈｅｎｇ　Ｙ，ｌ　ｉｕ　Ｚ．ｅｔ　ａ１．Ｈｙｂｒｉｄ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｌａｔｅｒａｌ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　・２８４・　材料导报　２０１７年５月第３１卷专辑２９　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．ＡＣＳ　Ａｐｐｌ　Ｍａｔｅｒ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２０１６，８（２）：１１７６．　１３　Ｗａｎｇ　Ｉ　，Ｉ　ｉｕ　Ｗ，Ｚｈａｎｇ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎ—　ｄｕｃｔｉｖｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆｏｒ　ＧａＮ－ｂａｓｅｄ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ：Ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓ　ａｎｄ　ｃｏｕｎｔｅｒｍｅａｓｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｅｎｅｒｇｙ，２０１５，１２：４１９．　１４　Ｈｏｆｍａｎｎ　Ｍ，Ｈｓｉｅｈ　Ｙ　Ｐ，Ｃｈａｎｇ　Ｋ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｄｏｐａｎｔ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ　ａｓ　ｔｈｅ　ｆａｃｔｏｒ　ｌｉｍｉｔｉｎｇ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ［Ｊ］．Ｓｃｉ　Ｒｅｐ，２０１５，５：　１７３９３．　１５　Ｆｅｒｒａｒｉ　Ａ　Ｃ，Ｂｏｎａｃｃｏｒｓｏ　Ｆ，Ｆａｌ　ｋｏ　Ｖ，ｅｔ　ａ１．Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｒｏａｄｍａｐ　ｆｏｒ　ｇｒａｐｈｅｎｅ，ｒｅｌａｔｅｄ　ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ　ｃｒｙｓｔａｌｓ，ａｎｄ　ｈｙｂｒｉｄ　ｓｙｓｔｅｍｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｔｅ，２０１５，７（１１）：４５９８．　１６　Ｐａｔｏｎ　Ｋ　Ｒ，Ｖａｒｒｌａ　Ｅ，Ｂａｃｋｅｓ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｓｃａｌａｂｌｅ　ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ　ｑｕａｎｔｉｔｉｅｓ　ｏｆ　ｄｅｆｅｃｔ—ｆｒｅｅ　ｆｅｗ－ｌａｙｅｒ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｂｙ　ｓｈｅａｒ　ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ　ｉｎ　ｌｉｑｕｉｄｓ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｍａｔｅｒ，２０１４，１３（６）：６２４．　１７　Ｗａｎｇ　Ｊｉｎ，Ｘｉｏｎｇ　Ｚｈｅｎｇｗｅｉ，Ｙｕ　Ｊｉａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｅｐｉｔａｘｉａｌ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏ　８Ｌ　Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，　２０１５，１０（１１）：６４９．　１８　Ｎｉｎｇ　Ｊ，Ｗａｎｇ　Ｊ，Ｉ　ｉ　Ｘ　Ｉ　，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｆａｓｔ　ｒｏｏｍ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｓｔｒａｔｅｇｙ　ｆｏｒ　ｄｉｒｅｃｔ　ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｆｉｌｍｓ　ｔｏｗａｒｄｓ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ　Ａ，２０１４，２（２８）：１０９６９．　１９　Ｋｉｍ　Ｋ　Ｓ，Ｚｈａｏ　Ｙ。Ｊａｎｇ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｔｕｒｅ，２００９，　４５７（７２３０）：７０６．　２Ｏ　Ｊｏ　Ｇ，Ｃｈｏｅ　Ｍ，Ｌｅｅ　Ｓ，ａｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ａｓ　ｅｌｅｃ—　ｔｒｏｄｅｓ　ｉｎ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎ０ｔｅｃｈｎ０ｌ０ｇｙ，２０１２，２３　（１１）：１１２００ｌ｜　２１　Ｓｅａｈ　Ｃ　Ｍ，Ｃｈａｉ　Ｓ　Ｐ，Ｍｏｈａｍｅｄ　Ａ　Ｒ．Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌｓ［Ｊ］．Ｃａｒ—　ｂｏｎ，２０１４，７０：１．　２２　Ｓｏｎｇ　Ｘ　Ｆ，Ｙａｎｇ　Ｊ，Ｒａｎ　Ｑ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．３－Ｄ　ｃｏｎｆｏｒｍａｌ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｏｒ　ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ　ａｎｄ　ｂｅｎｄａｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　ＣｈｅｍＣ，２０１５，３（４８）：１２３７９．　２３石晓东，王伟，尹强，等．化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的　研究进展口］．材料导报：综述篇，２０１７，３１（３）：１３６．　２４　Ｌｅｅ　Ｍ　Ｓ，Ｋｉｍ　Ｊ，Ｐａｒｋ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｓｔｒｅｔｃｈａ—　ｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｍｅｔａｔ　ｎａｎｏｗｉｒｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ　Ｒｅｓ　Ｌｅｔｔ，２０１５，ｉ０：２７．　２５　Ｗｅｉ　Ｄ　Ｃ。Ｌｉｕ　Ｙ　Ｑ．Ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ａｎｄ　ｉｔｓ　ａｐｐｌｉ—　ｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１０，２２（３０）：３２２５．　２６陈集思，武斌，刘云圻．介电层上石墨烯的制备［Ｊ］．化学学报，　２０１４，７２（３）：３５９．　．　２７　Ｙｕ　Ｑｉｎｇｋａｉ，Ｊａｕｒｅｇｕｉ　Ｌｕｉｓ　Ａ，Ｗｕ　Ｗｅｉ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｎｔｒｏｌ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｅｔｅ￣　ｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ　ｇｒａｉｎｓ　ａｎｄ　ｇｒａｉｎ　ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ　ｉｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｍａｔｅｒ，２０１１，１０（６）：４４３．　２８　Ｇａｏ　Ｉ　ｉｂｏ，Ｒｅｎ　Ｗｅｎｃａｉ，Ｃｈｅｎｇ　Ｈｕｉｍｉｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｐｅａｔｅｄ　ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　ｂｕｂｂｌｉｎｇ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｗｉｔｈ　ｍｉｌｌｉｍｅｔｒｅ－ｓｉｚｅ　ｓｉｎｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌ　ｇｒａｉｎｓ　ｕｓｉｎｇ　ｐｌａｔｉｎｕｍ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０１２，３（２）：６９９．　２９　Ｌｉｕ　Ｊｉｎｙａｎｇ，Ｈｕａｎｇ　Ｚｈｉｇａｏ，Ｌａｉ　Ｆａｃｈｕｎ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｒｏｍ　ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｓｉｚｅｄ　ｍｏｎｏｌａｙｅｒ　ｔｏ　ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ｏｎ　Ｃｕ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ　Ｒｅｓ　Ｌｅｔｔ，２０１５，１０：４５５．　３０　Ｉ　ｉ　Ｘ，Ｃａｉ　Ｗ，Ａｎ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｒｇｅ－ａｒｅａ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｈｉｇｈ－ｑｕａｌｉｔｙ　ａｎｄ　ｕｎｉｆｏｒｍ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｃｏｐｐｅｒ　ｆｏｉｌｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００９，３２４　（５９３２）：１３１２．　３ｌ　Ｃｈｅｎ　Ｃ　Ｃ，Ｋｕｏ　Ｃ　Ｊ，Ｌｉａｏ　Ｃ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ－ａｒｅａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｉｎ　ｃｏｎｆｉｎｅｄ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｓｐａｃｅ　ｗｉｔｈ　ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ－ｄｒｉｖｅｎ　ｃｈｅｍｉ—　ｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２０１５，２７（１）：６２４９．　３２　Ｎｉｎｇ　Ｊｉｎｇ，Ｗａｎｇ　Ｄｏｎｇ，Ｚｈａｎｇ　Ｃｈｕｎｆｕ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒ－　ｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｌａｙｅｒ－ｓｔａｃｋｅｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｓｅｌｆ－　ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｓｙｎｔｈ　Ｍｅｔ，２０１５，２０３：２１５．　３３　Ｋｉｍ　Ｊ，Ｉｓｈｉｈａｒａ　Ｍ，Ｋｏｇａ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ－ａｒｅａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍｓ　ｕｓｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｗａｖｅ　ｐｌａｓｍａ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２０１１，９８　（９）：０９１５０２．　３４　Ｄｉｎｇ　Ｇｕｑｉａｏ，Ｚｈｕ　Ｙｕｎ，Ｗａｎｇ　Ｓｈｕｍｉｎ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏ—　ｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　ｌｉｑｕｉｄ　ｍｅｔａｌ　Ｃａｔａｌｙｓｔｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１３，５３：　３２１．　３５　Ｌｉ　Ｘｕｅｓｏｎｇ，Ｚｈｕ　Ｙａｎｗｕ，Ｃａｉ　Ｗｅｉｗｅｉ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ－ａｒｅａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｅｌｅｃ—　ｔｒｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２００９，９（１２）：４３５９．　３６　Ｂａｅ　Ｓ，Ｋｉｍ　Ｈ，Ｌｅｅ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｒｏｌｌ－ｔｏ－ｒｏｌｌ　ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　３０一ｉｎｃｈ　ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌ，２０１０，５　（８）：５７４．　３７　Ｋｏｂａｙａｓｈｉ　Ｔ，Ｂａｎｄｏ　Ｍ，Ｋｉｍｕｒａ　Ｎ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ａ　１００一＂　ｌｏｎｇ　ｈｉｇｈ－ｑｕａｌｉｔｙ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ　ｂｙ　ｒｏｌｌ—ｔｏ－ｒｏｌｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，　２０１３，１０２（２）：０２３１１２．　３８　Ｙａｎ　Ｋａｉ，Ｆｕ　Ｌｅｉ，Ｐｅｎｇ　Ｈａｉｌｉｎ，ｅｔ　ａ１．Ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ＣＶＤ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｖｉａ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ［Ｊ］．Ａｃｃ　Ｃｈｅｍ　Ｒｅｓ，２０１３，４６（１０）：　２２６３．　３９吴涛，蒋业华，张晓伟．铜基板上ＣＶＤ法生长单晶石墨烯及研究现　状［Ｊ］．功能材料，２０１５，４６（１６）：１６０３７．　４Ｏ邹志宇，戴博雅，刘忠范．石墨烯的化学气相沉积生长与过程工程　学研究［Ｊ］．中国科学：化学，２ｏ１３，４３（１）：１．　４１　Ｙａｎ　Ｚ，Ｌｉｎ　Ｊ，Ｐｅｎｇ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｔｏｗａｒｄ　ｔｈｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｗａｆｅｒ－ｓｃａｌｅ　ｓｉｎｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　ｃｏｐｐｅｒ　ｆｏｉｌｓ［Ｊ］．ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，２０１２，６（１０）：　９１１Ｏ．　４２　Ｂｏｙｄ　Ｄ，Ｌｉｎ　Ｗ，Ｈｓｕ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｓｉｎｇｌｅ－ｓｔｅｐ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｉｇｈ－ｍｏｂｉｌｉ—　ｔｙ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ａｔ　ｒｅｄｕｃｅｄ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０１５，６：　６６２０．　４３　Ｒｙｕ　Ｊ，Ｋｉｍ　Ｙ，Ｗｏｎ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｆａｓｔ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ－—ｆｒｅｅ　ｒａｐｉｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏ—。　ｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，２０１４，８（１）：９５０．　４４余崇圣，魏大鹏．石墨烯薄膜的前驱气体预热化学气相沉积快速制　备方法口］．功能材料，２０１５，４６（１６）：１６１１０．　４５　Ｘｕ　Ｘｉａｏｚｈｉ，Ｚｈａｎｇ　Ｚｈｉｈｏｎｇ，Ｑｉｕ　Ｌｕ，ｅｔ　ａｔ．Ｕｌｔｒａｆａｓｔ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｓｉｎ—　ｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｂｙ　ａ　ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｏｘｙｇｅｎ　ｓｕｐｐｌｙ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌ，２０１６，１１（１１）：９３０．　４６　Ｈｅｃｈｔ　Ｄ　Ｓ，Ｈｕ　Ｌ，Ｉｒｖｉｎ　Ｇ．Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｆ　ｃａｒｂｏｎ　ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ｇｒａｐｈｅｎｅ，ａｎｄ　ｍｅｔａｌｌｉｃ　ｎａｎｏｓｔｒｕｃ　ｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１１，２３（１３）：１４８２．　４７［日］越石健司，黑浞理编著，薛建设，刘翔，鲁成祝译．触摸屏技　术与应用［Ｍ］．北京：机械工业出版社，２０１４．１００．　４８陈牧，颜悦，张晓锋，等．大面积石墨烯薄膜转移技术研究进展［Ｊ］．　航空材料学报，２０１５，３５（２）：１．　４９陈旭东，陈召龙，孙靖宇，等．石墨烯玻璃：玻璃表面上石墨烯的直　接生长口］．物理化学学报，２０１６，３２（１）：１４．　５０　Ｔｅｎｇ　Ｐ，Ｌｕ　Ｃ，Ｈａｓｅｇａｗａ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｍｏｔｅ　ｃａｔａｌｙｚａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ｄｉｒｅｃｔ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｏｎ　ｏｘｉｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２０１２，１２（３）：　１３７９．　５１　Ｋｉｍ　Ｈ，Ｓｏｎｇ　Ｉ，Ｓｏｎ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｐｐｅｒ－ｖａｐｏｒ－ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ－ｑｕａｌｉｔｙ　ａｎｄ　ｍｅｔａｌ—ｆｒｅｅ　ｓｉｎｇｌｅ－ｌａｙｅｒ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ＳｉＯｚ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ［Ｊ］．ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，２０１３，７（８）：６５７５．　５２　Ｍａ　Ｙ，Ｊａｎｇ　Ｈ，Ｋｉｍ　Ｓ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｐｐｅｒ－ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｉｒｅｃｔ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｖｅｒ—　ｔｉｃａｌ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｎａｎｏｓｈｅｅｔｓ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ　石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究／陈绍源等　・２８５・　Ｒｅｓ　Ｌｅｔｔ，２０１５，１０：３０８．　５３　Ｃｈｅｎ　Ｊ，Ｗｅｎ　Ｙ，Ｇｕｏ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｏｘｙｇｅｎ－ａｉｄｅｄ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｐｏｌｙｃｒｙｓ—　ｔａｌｌｉｎｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｄｉｏｘｉｄｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　ＳＯｃ，　２０１１，１３３（４４）：１７５４８．　５４　Ｃｈｅｎ　Ｊ，Ｇｕｏ　Ｙ，Ｗｅｎ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｔｗｏ－ｓｔａｇｅ　ｍｅｔａｌ—ｃａｔａｌｙｓｔ－ｆｒｅｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｈｉｇｈ－ｑｕａｌｉｔｙ　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｓｕｂ—　ｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１３，２５（７）：９９２．　５５　Ｓｕｎ　Ｊ，Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｐｒｉｙｄａｒｓｈｉ　Ｍ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｄｉｒｅｃｔ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉ—　ｔｉｏｎ－ｄｅｒｉｖｅｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｇｌａｓｓｅｓ　ｔａｒｇｅｔｉｎｇ　ｗｉｄｅ　ｒａｎｇｅｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．　Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２０１５，１５（９）：５８４６．　５６　Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｓｕｎ　Ｊ，Ｇａｏ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒｏｗｉｎｇ　ｕｎｉｆｏｒｍ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｄｉｓｋｓ　ａｎｄ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｍｏｌｔｅｎ　ｇｌａｓｓ　ｆｏｒ　ｈｅａｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　ｃｅｌｌ　ｃｕｌｔｕｒｅ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１５，２７（４７）：７８３９．　５７　Ｚｈａｎｇ　Ｌ，Ｓｈｉ　Ｚ，Ｗａｎｇ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｃａｔａｌｙｓｔ—ｆｒｅｅ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ｎａｎｏｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｒｅｓ，２０１１，４（３）：３１５．　５８　Ｓｕｎ　Ｊ，Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｃａｉ　Ｘ，ｅｔ　ａ１．Ｄｉｒｅｃｔ　Ｉｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｏｎ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｇｌａｓｓｅｓ　ｂｙ　ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅ－　ｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ｖｅｒｓａｔｉｌｅ，ｃｏｓｔ－ｅｆｆｅｆｆｅｃｔｉｖｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｒｅｓ，　２０１５，８（１１）：３４９６．　５９　Ｌｉｕ　Ｈ，ＩＡｕ　Ｙ，Ｚｈｕ　ｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２０１１，２１（１０）：３３３５．　６０　Ａｎａｎｄ　Ｂ，Ｋａｒａｋａｙａ　Ｍ，Ｐｒａｋａｓｈ　Ｇ，ｅｔ　ａ１．Ｄｏｐａｎｔ－ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ　ｃｏｎ—　ｔｒｏｌｌｅｄ　ｃａｒｒｉｅｒ　ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　ｉｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ［Ｊ］．ＲＳＣ　Ａｄｖ，２０１５，５：５９５５６．　６１　Ｇｕｏ　Ｂｅｉｄｏｕ，Ｌｉｕ　Ｑｉａｎ，Ｃｈｅｎ　Ｅｒｄａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ　Ｎ－ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２０１０，１０（１２）：４９７５．　６２　Ｚｈａｎｇ　Ｃ，Ｆｕ　Ｌ，Ｌｉｕ　Ｎ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　Ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｄｏｐｅｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｕｓｉｎｇ　ｅｍｂｅｄｄｅｄ　ｃａｒｂｏｎ　ａｎｄ　ｎｉｔｒｏｇｅｎ　ｓｏｕｒｃｅｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１１，　２３（８）：１０２０．　６３　Ｋｉｍ　Ｋ　Ｋ，Ｒｅｉｎａ　Ａ，Ｓｈｉ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｅｎｈａｎｃｉｎｇ　ｔｈｅ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｖｉａ　ｄｏｐｉｎｇ［Ｊ］．Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１０，２１　（２８）：２８５２０５．　６４　Ｇａｎｅ￣Ｆ，Ｓｈｉｎ　Ｈ　Ｊ，Ｂｉｓｗａｓ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｙｅｒ－ｂｙ－ｌａｙｅｒ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　ｆｅｗ－　ｌａｙｅｒ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍ［Ｊ］．Ａｃｓ　Ｎａｎｏ，２０１０，４（８）：４５９５．　６５　Ｙｕａｎ　Ｊ，Ｍａ　Ｌ，Ｐｅｉ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｔｕｎｉｇｎ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａ１　ｐｒｏｐｅｒ—　ｔｉｅｓ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｂｙ　ｏｚｏｎｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｆｏｒ　ｐａｔｔｅｍｉｎｇ　ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　ｔｒａｎｓ—　ｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ［Ｊ］．Ａｃｓ　Ｎａｎｏ，２０１３，７（５）：４２３３．　６６　Ｚｈｅｎｇ　Ｑ　Ｂ，Ｇｕｄａｒｚｉ　Ｍ　Ｍ，Ｗａｎｇ　Ｓ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｏｄｕｃｅｄ　ｂｙ　ａｃｉｄ　ａｎｄ　ｄｏｐｉｇｎ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１１，４９（９）：２９０５．　６７　Ｓｔａｎｋｏｖｉｃｈ　Ｓ，Ｄｉｋｉｎ　Ｄ　Ａ，Ｄｏｍｍｅｔｔ　Ｇ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ａｍｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ｎａｔｕｒｅ，２００６，４４２：２８２．　６８　Ｐｅｎｇ　Ｌ，Ｆｅｎｇ　Ｙ，Ｌｖ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ，ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ，ａｎｄ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｍｕｌｔｉｗａｌｌｅｄ　ｃａｒｂｏｎ　ｎａｎｏｔｕｂｅ／ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｈｙｂｒｉｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　ｔｗｏ　ｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ　Ｃ，２０１２，１　１６　（８）：４９７０．　６９　Ｇｏｒｋｉｎａ　Ａ　Ｌ，Ｔｓａｐｅｎｋｏ　Ａ　Ｐ，Ｇｉｌｓｈｔｅｙｎ　Ｅ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ａｎｄ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｈｙｂｒｉｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ／ｃａｒｂｏｎ　ｎａｎｏｔｕｂｅ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，　２０１６，１００：５０１．　７０　Ｍａａｒｏｕｆ　Ａ　Ａ，Ｋａｓｒｙ　Ａ，Ｃｈａｎｄｒａ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｅａｒｂｏｎ　ｎａｎｏ—　ｔｕｂｅ　ｈｙｂｒｉｄ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｆｏｒ　ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１６，　１０２：７４．　７１　Ｋｈｏｌｍａｎｏｖ　Ｉ　Ｎ，Ｍａｇｎｕｓｏｎ　Ｃ　Ｗ，Ａｌｉｅｖ　Ａ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｉ—　ｃａｌ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｍｅｔａｌ　ｎａｎｏｗｉｒｅｓ　［Ｊ３．Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２０１２，１２（１１）：５６７９．　７２　Ｔｉｅｎ　Ｈ　Ｗ，Ｈｓｉａｏ　Ｓ　Ｔ，Ｌｉａｏ　Ｗ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｕｓｉｎｇ　ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｔｏ　ｐｒｅ—　ｐａｒｅ　ａ　ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｓｉｌｖｅｒ　ｎａｎｏｗｉｒｅ　ｈｙｂｒｉｄ　ｆｉｌｍ　ｔｈａｔ　ｉｓ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１３，５８：１９８．　７３　Ｋａｈｎｇ　Ｙ　Ｈ，Ｋｉｍ　Ｍ　Ｋ，Ｌｅｅ　Ｊ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈｌｙ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｂｙ　ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｆｉｌｍｓ　ａｎｄ　ｉｎｋｊｅｔ—ｐｒｉｎｔｅｄ　ｓｉｌｖｅｒ　ｇｒｉｄｓ［Ｊ］．ＳＯｌ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒ　Ｓｏｌ　Ｃｅｌｌｓ，２０１４，１２４：　８６．　７４　Ｔｉｅｎ　Ｈ　Ｗ，Ｈｕａｎｇ　Ｙ　Ｌ，Ｙａｎｇ　Ｓ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｎａｎｏｓｈｅｅｔｓ　ｄｅｃｏｒａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｓｉｌｖｅｒ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ　ｆｏｒ　ｕｓｅ　ｉｎ　ｔｒａｎｓ—　ｐａｒｅｎｔ，ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１１，４９（５）：１５５０．　７５　Ｈｕａｎｇ　Ｙ　Ｌ，Ｂａｊｉ　Ａ，Ｔｉｅｎ　Ｈ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｏｆ　ｓｉｌｖｅｒ－ｇｒａ—　ｐｈｅｎｅ　ｈｙｂｒｉｄ　ｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｕｎ　ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ　ｎａｎｏｆｉｂｅｒｓ　ａｓ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１２，５０（１０）：３４７３．　７６　Ｌｉ　Ｙ，Ｚｈａｎｇ　Ｐ，Ｏｕｙａｎｇ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈｌｙ　ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　ｓｉｌｖｅｒ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ：ｑｕｉｃｋ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｆａｃｉｌｅ　ｆａｂｒｉｃａ—　ｔｉｏｎ　ｏｆ　３Ｄ　ｍｅｍｂｒａｎｅ－ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ．ａｎｄ　ｓｕｐｅｒ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｆｏｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｓｅｎｓｉｎｇ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｆｕｎｃｔ　Ｍａｔｅｒ，２０１６，２６（１３）：２１２２．　７７　Ｌｅｅ　Ｄ，Ｌｅｅ　Ｈ，Ａｈｎ　Ｙ，Ｌｅｅ　Ｙｏｕｎｇｕ．Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｇｒａｐｈｅｎｅ／ＡｇＮＷ／ｇｒａｐｈｅｎｅ　ｓａｎｄｗｉｃｈ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．Ｃａｒｂｏｎ，２０１５，８１：４３９．　７８王国华，周旭峰，汪伟，等．２０１５石墨烯技术专利分析报告［Ｒ］．宁　波：中国科学院宁波工业技术研究院，２０１５．　７９　Ｂｌａｋｅ　Ｐ，Ｂｒｉｍｉｃｏｍｂｅ　Ｐ　Ｄ，Ｎａｉｒ　Ｒ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｄｅｖｉｃｅ［Ｊ］．Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ，２００８，８（６）：１７０４．　８Ｏ　Ｈａｎ　Ｔ　Ｈ，Ｌｅｅ　Ｙ，Ｃｈｏｉ　Ｍ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｏｒ－　ｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｇｒａｐｈｅｎｅ　ａｎｏｄｅ［Ｊ］．Ｎａｔ　Ｐｈｏｔｏｎ，２０１２，６（２）：１０５．　８１沈奕，吴永俊，郑清交，等．一种电容式触摸屏：中国，　２００９１００３６８７５．６［Ｐ］．２０１２—１１—０７．　８２陈绍源，沈奕，孙楹煌，等．一种防止线路腐蚀的电容触摸感应板：　中国，２０１２２０２８６０２０．６［Ｐ］．２０１３一ｏ１—２３．