专利名称：一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李泽宏,蒲小庆,杨尚翰,王志明,任敏,张金平,高巍,张
波
申请号：CN201811593444.5申请日：20181225公开号：CN109671706A公开日：20190423
摘要：本发明涉及一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法，属于功率半导体集成技术领域。本发明通过以下主要工艺步骤：制备衬底；形成N+埋层；生长P型外延层；形成穿通隔离区；制备场氧；N阱注入、推阱；P阱注入、推阱；JFET的栅极N型区注入、推结；制备栅氧和多晶硅；N+注入；P+注入；制备欧姆孔；退火激活；淀积并刻蚀金属层，将PJFET﹑CMOS﹑nLDMOS和(或没有)Poly电阻和Poly二极管、Poly电容、阱电阻集成在同一芯片上。本发明高低压器件兼容性好，隔离效果好，掩模版次少。JFET具有高精度模拟特性、输入阻抗大、高速、抗辐照特性好等优点，实现了低压JFET器件与高压控制DMOS部分、低压逻辑CMOS部分的集成，可应用于电源管理IC、保护类电路和集成运放的工艺设计中。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人：葛启函
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