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MEMS压力传感器及其形成方法[发明专利]

2022-11-26 来源:爱问旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:MEMS压力传感器及其形成方法专利类型:发明专利发明人:周文卿

申请号:CN201510084563.8申请日:20150216公开号:CN104634487A公开日:20150520

摘要:一种MEMS压力传感器及其形成方法,形成方法包括:提供包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底,包括至少一层导电层,导电层位于第一衬底的第一表面一侧;提供包括相对的第三表面和第四表面的第二衬底,包括第二基底和压敏电阻元件,第二衬底包括压力传感区,压敏电阻元件位于压力传感区内,压敏电阻元件位于第二衬底的第三表面一侧;将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定;在第一衬底与第二衬底的压力传感区之间形成空腔;去除第二基底,形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面;自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层表面的第一导电插塞。MEMS压力传感器的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。

申请人:迈尔森电子(天津)有限公司

地址:300381 天津市南开区宾水西道奥城商业广场A3座518室

国籍:CN

代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

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