专利名称：具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：沈新林,任洪,陈一,丛茂杰申请号：CN202011395298.2申请日：20201130公开号：CN112509980A公开日：20210316
摘要：本发明提供了一种具有屏蔽栅沟槽的半导体器件及其制造方法，在回刻蚀场氧化层以形成核心区的屏蔽氧化层之后，且在通过热氧化工艺一步形成核心区屏蔽栅上方的栅间氧化层和栅氧化层之前，先通过平坦化工艺或者回刻蚀工艺来降低终端区的沟槽中的缝隙深度，由此在后续形成核心区的多晶硅栅的工艺中能避免在终端区的沟槽中产生的多晶硅残留，有效解决终端区器件的CP参数失效问题，保证半导体器件的性能。
申请人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
地址：312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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