专利名称：薄膜压电装置专利类型：发明专利
发明人：矢野义彦,野口隆男,阿部秀典,斎藤久俊申请号：CN00108912.9申请日：20000519公开号：CN1274954A公开日：20001129
摘要：一种薄膜压电装置,具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5),该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。
申请人：TDK株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
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