专利名称：激光对多晶硅材料表层的再结晶方法及应用专利类型：发明专利发明人：宋立辉
申请号：CN201611131236.4申请日：20161209公开号：CN106784140A公开日：20170531
摘要：本发明公开激光对多晶硅材料表层的再结晶方法及应用。该方法是将去除表面的氧化层后的多晶硅材料制作成硅材料上表面带有类单晶表层的硅电池。本发明利用激光选择性扫描多晶硅材料的上表面，从而使带有晶体缺陷的多晶硅上表面重新融化和再结晶，形成几乎无晶体缺陷的类单晶表层。本发明可以大幅减少硅电池发射层的少数载流子复合，大幅提高硅电池效率。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：杜军
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