（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200910132741.4 （22）申请日 2009.04.16
（71）申请人 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
地址 日本大阪府
（10）申请公布号 CN101577276A
（43）申请公布日 2009.11.11
（72）发明人 矢岛学
（74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 岳雪兰
（51）Int.CI
H01L27/06; H01L23/60; H01L29/06; H01L29/861; H01L29/78;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
绝缘栅型半导体装置
（57）摘要
本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。现
有的保护二极管为由直径不同的多个pn结形成同心圆状的一个圆形，以与栅极焊盘电极大致相同
的大小配置在其下方。作为提高MOSFET的ESD容量的方法，公知有增加构成保护二极管的pn结的总面积的方法，但在增加形成同心圆状的多个pn结的结面积的局部或全部时，存在保护二极管在芯片上的占有面积增加的问题。在该绝缘栅型半导体装置中，将多个保护二极管设为并联连接的保护二极管组，并将保护二极管组的总计结面积平均值设为能确保所希望的静电放电容量的值。通过使总计结面积平均值与现有结构的结面积平均值相等，能维持与现有技术相同的ESD容量，并可减少保护二极管组在芯片上的占有面积。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
2009-11-11 公开
2010-01-06 实质审查的生效 2012-05-23
授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
绝缘栅型半导体装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
绝缘栅型半导体装置的说明书内容是....请下载后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容