专利名称：一种半导体存储器的器件结构专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201710796600.7申请日：20170906公开号：CN107425072A公开日：20171201
摘要：本发明提供一种半导体存储器的器件结构，包括：有源区，具有多个沟槽与一衬底表面，沟槽的开口朝向衬底表面；多个栅极组件，埋设于有源区的沟槽内，其中衬底表面包含分别位于栅极组件外侧的源区及位于栅极组件之间的漏区；节点接触，设在源区上；位线接触，设在漏区上；两组节点接触通过相邻的栅极组件共用位线接触；其中，有源区的漏区具有一由位线接触往内的第一离子植入层，有源区的源区具有一由节点接触往内的第二离子植入层，第一离子植入层的第一深度大于第二离子植入层的第二深度。本发明的半导体存储器的器件结构可以延长字线与相邻的节点接触之间干扰电荷的距离，从而改善相邻存储单元之间的漏电，缓解位线失效等问题。
申请人：睿力集成电路有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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