专利名称：刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法专利类型：发明专利
发明人：吴半秋,马德哈唯·R·钱德拉乔德,阿杰伊·库玛申请号：CN200710140139.6申请日：20070806公开号：CN101144973A公开日：20080319
摘要：本发明提供了刻蚀EUV光掩模的方法的实施方式。在一个实施方式中，刻蚀远紫外光掩模的方法包括提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀自掩模层；以及使用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。
申请人：应用材料股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容