专利名称：利用二次阳极氧化铝模板制备CdS纳米线的方法专利类型：发明专利
发明人：王宏智,张卫国,姚素薇申请号：CN201310618446.6申请日：20131127公开号：CN103603004A公开日：20140226
摘要：本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备CdS纳米线的方法；其CdS纳米线直径为80～120nm，长度为1～10μm。利用三电极体系进行控电位沉积；将二次阳极氧化铝膜电极置于电解液中，控电位沉积CdS纳米线，沉积电位为-0.9～-1.1V，电解液温度为30～60℃；然后将二次阳极氧化铝膜电极经超声清洗，放入烘箱烘干，得到CdS纳米线。应用本方法制备的CdS纳米线长度一致，排列整齐，纳米线表面光滑，并且纳米线直径长度可控。本发明设备简单，易于操作，通常在常温、常压下进行，因而生产成本低，容易实现工业化生产。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：王丽
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