专利名称：一种恒流二极管芯片专利类型：发明专利
发明人：钟盛鸣,陆国华,吴亚红申请号：CN201310346414.5申请日：20130809公开号：CN103441146A公开日：20131211
摘要：本发明公开了一种恒流二极管芯片，主要部件为一个硅片衬底，所述硅片衬底上隔离出两个独立的MOS集成块，所述MOS集成块内为源漏极和栅等距分布的阵列且MOS集成块为4个电极，分别为源漏极和上下两个栅极，所述源漏区的n+掺杂浓度为0.153×18／cm3的高浓度施主杂质掺杂，源漏区通过金属引线与电极连接，所述栅极沟道区域内为0.014×18／cm3的受主杂质掺杂，栅极扩透隔离区，与硅片衬底连接，且栅氧厚度为上下对称的4-6nm。本芯片设计时，源、漏之间的间距决定恒流管的低饱和压降，再根据宽输入的要求在扩散的掺杂度等进行最佳参数的控制，以达到低饱和压降且输入电压范围广，电流变化率低的优点。
申请人：如皋市日鑫电子有限公司
地址：226500 江苏省南通市如皋市下原工业集中区
国籍：CN
代理机构：北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：滑春生
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