专利名称：一种碳化硅衬底的处理方法专利类型：发明专利
发明人：吴昊,吴军民,金锐,汤广福,潘艳,邱宇峰,田亮,孙俊敏,
李晨,吴斌,齐向
申请号：CN202010345960.7申请日：20200427公开号：CN111668088A公开日：20200915
摘要：本发明提供一种碳化硅衬底的处理方法，通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层；对碳化硅衬底进行高温退火，可以改善碳化硅衬底表面形貌，减少碳化硅衬底与氧化层界面处杂质的引入，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对碳化硅衬底表面进行钝化，大大降低了界面态密度。
申请人：全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山东省电力公司泰安供电公司
地址：102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
国籍：CN
代理机构：北京安博达知识产权代理有限公司
代理人：徐国文
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