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霍尔效应试验仪原理及其应用

2020-08-05 来源:爱问旅游网


、实验名称:

二、实验目的:

霍尔效应原理及其应用

1、了解霍尔效应产生原理;

2、测量霍尔元件的 H s、H m曲线,了解霍尔电压 H 与霍尔元件工作电流 s、直 螺

V

I

V

I

V

I

线管的励磁电流 间的关系;

Im

3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法, 测量长直螺旋管轴向磁感应强度 及分

B

布;

4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具: YX-04 型霍尔效应实验仪( 仪器资产编号 ) 四、实验原理:

1、霍尔效应现象及物理解释

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力 作用而引起的偏转。 当

fB

带电

粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生 正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图1所示。

半导体样品,若在x方向通以电流 ,在z方向加磁场 B ,则在y方向即样品A、

I s

A′电 极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场

EH

,电场的指向取决于样品的导电

类型。显然,

当载流子所受的横向电场力

fE fB

时电荷不断聚积, 电场不断加强, 直到 fE fB样品两侧电

荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔VH 。

电压)

设 为霍尔电场, v是载流子在电流方向上的平均漂移速度; 样品的宽度为 b,厚度为

d ,

EH

载流子浓度为 ,则有:

n

I s nevbd

因为 E

f

eE

1-1)

H , fB evB,又根据 fE fB ,则

VH EH b

1 I sB ne d

1-2)

V

其中 H

RI

1/(ne)

称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出 H 、 B

3

以及知道 s和 d ,可按下式计算 H

R

(m /c)

RH

V H d IsB

1-3) 1—4)

KH

KH

UH /I SB

为霍尔元件灵敏度。根据R H 可进一步确定以下参数。

(1)由 的符号(霍尔电压的正负) 判断样品的导电类型。 判别的方法是按图1

VH

所示的 和 B 的方向(即测量中的+ ,+ B ),若测得的 <0(即A′的电位低于

Is

Is

VH

A的电位), 则样品属N型,反之为P型。

(2)由 H 求载流子浓度 n ,即

V

n 1/( K

H ed) 。应该指出,这个关系式是假定所有载流

子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入 修 正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。

3 /8

。电导率 与载流子浓度 以及迁移率 3) 结合电导率的测量,求载流子的迁移率

n

之间有如下关系:

ne

1-5)

2、霍尔效应中的副效应及其消除方法 上述推导是从理想情况出发的, 实际情况要 复杂得多。 产生上述霍尔效应的同时还伴随产生 四种副效应,使 的测量产生系统误差,如图 2

VH

所示。

(1)厄廷好森效应引起的电势差

。由

VE

图2 在磁场中的霍尔元件

于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接

点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4侧面出现温差,产 生温差电动势 E 。可以证明 E s。E 的正负与 s和B的方向有关。

V

V

IB

V

I

(2)能斯特效应引起的电势差 。焊点1、 2间接触电阻可能不同, 通电发热程度不同,

VN

故1、2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在 3、4点间形成电势差 。若只考虑接触电阻的差异,则 的方向仅与磁场 B 的方向有关。

VN

VN

(3)里纪 -勒杜克效应产生的电势差 。上述热扩散电流的载流子由于速度不

VR

同,根据 厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4点间形成温差电动势 与 B 的方向有

关,而与 的方向无关。

Is

VR

。的正负仅

VR

(4)不等电势效应引起的电势差 。由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、

V0

4两点 实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿 x 方向流过,即使没有磁场

B ,3、4两点间也 会出现电势差 。 的正负只与电流 的方向有关,而与 B 的方

V0

V0

I s

向无关。

综上所述, 在确定的磁场 B 和电流 下,实际测出的电压是霍尔效应电压与副效应产

生的

Is

附加电压的代数和。 可以通过对称测量方法, 即改变 和磁场 B 的方向加以消除和

减小副效应

Is

的影响。 在规定了电流 和磁场 反方向后, 可以测量出由下列四组不同方向的和B 正、 组

Is

B

Is

合的电压。即:

V1 V2 V3 V4 4(VH VE )

VE

较小,引入的误差不大, 通过上述测量方法,虽然不能消除所有的副效应,但 可以忽略 可近似为 不计,因此霍尔效应电压

VH

1

VH 4(V1 V2 V3 V4) 然后求 1, 2,

1

V

V

1-6)

3、直螺线管中的磁场分布

+B, Is:V1 +B I s : , V2 -B,

Is:V3 -B, Is:V4

VH VE VN VR V0

VH VE VN VR V0 VH VE VN VR V0 VH VE VN VR V0

VH

已知霍尔元件灵敏度 KH ,测量出 s 1、以上分析可知,将通电的霍尔元件放置在磁场中,

I

和 ,就可以计算出所处磁场的磁感应强度 B。

V

3 , V4的代数平均值

得:

B

VH

K H Is

1-7)

2、直螺旋管离中点 处的轴向磁感应强度理论公式:

x

Bx

NIs 2L

L 2 2 1/2 ([ 2 x)

([ 2 x) r0]

L

2

2

2

1/2

2 1/2

21/2

1-8)

式中, 是磁介质的磁导率, N为螺旋管的匝数, 为通过螺旋管的电流, L为螺旋

I s

的长度, 是螺旋管的内径, 为离螺旋管中点的距离。

r0

x

X=0时,螺旋管中点的磁感应强度

B

B0

NIs (L 4r0)

2

2

1/2

1- 9)

五、 实验内容:

V

I

V

I

测量霍尔元件的 H s、H m 关系;

1、将测试仪的“调节”和“调节”旋钮均置零位(即逆时针旋到底),极性开关选择置“0。”

Is

Im

2、接通电源,电流表显示 “”。有时, 调节电位器或 调节电位器起点不为零,将出

I s

Im

电流表指示末位数不为零,亦属正常。电压表显示 “。”

3、测定 关系。取 = 900mA,保持不变;霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺

VH Is

I m

水平方向处与读数零点对齐)。顺时针转动 “调节”旋钮, 依次取值为,,⋯,,将

I s

I s

Is

Im

极性开关选择置“+” 和“-”改变 与 的极性,记录相应的电压表读数 值,填入数

Is

I m

Vi

据记录 表 1。

4、以H为横坐标, s为纵坐标作 H s图,并对 H s曲线作定性讨论。

V

I

V

I

V

I

5、测定

VH I m

关系。取 =10 mA , 保持不变;霍尔元件置于螺旋管中点(二维移动尺水

Is

I m

Im

平方向处与读数零点对齐)。顺时针转动 “调节”旋钮, 依次取值为 0,100,200,⋯,900

mA,将 s和 极性开关择置“+” 和“- ”改变 s与 的极性,记录相应的电压表读数

I

Im

I

I m

填入数据记录表 2。

6、以

V

V

i值,

H 为横坐标, I m为纵坐标作 VH I m图,并对 VH I m曲线作定性讨论。 测量长直螺

旋管轴向磁感应强度 B 1、取 =10 mA, = 900mA。

Is

I m

2、移动水平调节螺钉,使霍尔元件在直螺线管中的位置 (水平移动游标尺上读

x

出),先

从开始,最后到 0cm 点。改变 和 极性,记录相应的电压表读数 值,填入数据记录

Is

I m

Vi

表 3, 计算出直螺旋管轴向对应位置的磁感应强度 B。

3、以 为横坐标, B为纵坐标作 B x图,并对 B x曲线作定性讨论。

x

4、用公式(1-8)计算长直螺旋管中心的磁感应强度的理论值, 并与长直螺旋管中心磁感

应强度的测量值 14比较,用百分误差的形式表示测量结果。式中

B

0 4 10 H /m

,其余参

数详见仪器铭牌所示。 六、

注意事项:

Is

I m

1、为了消除副效应的影响,实验中采用对称测量法,即改变 和 的方向。

2、霍尔元件的工作电流引线与霍尔电压引线不能搞错; 霍尔元件的工作电流和螺线管的励 磁电流要分清,否则会烧坏霍尔元件。

3、实验间隙要断开螺线管的励磁电流 与霍尔元件的工作电流 ,即 和的极性开

I m

Is

Im

I s

关 置 0位。

4、霍耳元件及二维移动尺容易折断、变形,要注意保护,应注意避免挤压、碰撞等,不要 用手触摸霍尔元件。

七、 数据记录: KH=,N=3150匝,L=280mm,r=13mm

表 1 H s关系

V

I

( =900mA)

Im

I s (mA) (mV) I(mV) I ( mV) I (mV) VH (V1 V2 V3 V4)(mV) 4 1m, I s m , I s m, Is Im, I s

表 2 H m关系

V

I( s )

I

=

I m(mA) (mV) I(mV) I (mV) I (mV) I m, I s m, Is m, I s m, I s 1 VH (V1 V2 V3 V4)(mV) 14 0 100 200 300

400 500 600 700 800

900 表 3 关系

B x

I s

=, I m =900mA

Im(mA) (mV) I(mV) I (mV) I (mV) I B × 10-3T m, I s m, Is m, I s m, I s 0

八、 数据处理: (作图用坐标纸) 九、 实验结果:

实验表明: 霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间成线性的

VH

I s

Im

关系。

长直螺旋管轴向磁感应强度:

K H U H /I SB

理论值比较误差为 : E=%

十、问题讨论(或思考题)

B=UH/KH*IS=

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