专利名称：多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法专利类型：发明专利发明人：李艳秋,杨亮
申请号：CN201210166477.8申请日：20120525公开号：CN102681333A公开日：20120919
摘要：本发明提供一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，可以快速计算任意平面波入射时的近场分布。步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化；步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵；步骤3、求解矩阵对角矩阵K、K及入射区矩阵Y、Z；步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。
申请人：北京理工大学
地址：100081 北京市海淀区中关村南大街5号
国籍：CN
代理机构：北京理工大学专利中心
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