专利名称：n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探
测器及制备方法
专利类型：发明专利
发明人：于永强,揭建胜,蒋阳,朱志峰,江鹏申请号：CN201110176236.7申请日：20110628公开号：CN102280515A公开日：20111214
摘要：本发明公开了n型掺杂ZnS准一维纳米结构光电导型紫外探测器及制备方法，其特征是紫外探测器自上而下依次由叉指电极，n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜和绝缘衬底迭置而成。本发明紫外探测器以n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜为紫外敏感层，使其只对小于335nm波长光敏感，利用透明叉指电极和纳米结构薄膜增强了受光面积，提高了紫外光响应度，同时使用ZnS做为光敏材料，环保可靠。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。
申请人：合肥工业大学
地址：230009 安徽省合肥市屯溪路193号
国籍：CN
代理机构：安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人：何梅生
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容