专利名称：通过原子层沉积法在扩散层上沉积金属膜以及用于
此的有机金属前体络合物
专利类型：发明专利
发明人：H·程,D·加格,P·奥尔德琼,M·科比恩申请号：CN200810176206.4申请日：20081114公开号：CN101469005A公开日：20090701
摘要：本发明涉及通过原子层沉积法在扩散层上沉积金属膜以及用于此的有机金属前体络合物。具体地，其公开了含有金属和含吸电子基团的配体的有机金属前体络合物。该络合物适合于在全钝化扩散阻隔层上和沉积在扩散阻隔层之上的金属层上经历放热吸附，和在扩散阻隔层和金属层上经历放热还原。该金属优选为铜。也公开了该络合物在原子层沉积法中的应用。
申请人：气体产品与化学公司
地址：美国宾夕法尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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