专利名称：一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法专利类型：发明专利发明人：余学功,顾鑫,杨德仁申请号：CN201010283068.7申请日：20100916公开号：CN101937947A公开日：20110105
摘要：本发明公开了一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法，包括如下步骤：在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在混合浆料中的质量分数为0.01％-3％；在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650-950℃烧结，烧结时间不超过5min。本发明制作方法烧结温度低，有效降低了电池的降低翘曲和破碎率。本发明制作方法能够在电池背面形成更均匀的背场，具有采用本发明制作方法得到的具有铝硼共掺背场的硅太阳电池的串联电阻明显降低，并联电阻明显上升，电池效率有较大幅度提升，而成本的增加可以忽略不计。
申请人：浙江大学
地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
国籍：CN
代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人：胡红娟
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