专利名称：薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体
器件
专利类型：发明专利
发明人：保罗·S·安德里,弗兰克·R·利布希,辻村隆俊申请号：CN01144051.1申请日：20011228公开号：CN1366351A公开日：20020828
摘要：本发明公开了一种半导体器件、一种薄膜晶体管和形成薄膜晶体管的方法。根据本发明的半导体器件包括顶部栅极型薄膜晶体管,所述的顶部栅极型薄膜晶体管形成在衬底上,所述的顶部栅极型薄膜晶体管包括:沉积在所述衬底上的绝缘层;由金属掺杂剂化合物形成的源电极和漏电极,所述金属掺杂剂化合物沉积在所述绝缘层上;沉积在所述绝缘层、以及所述源电极和所述漏电极上的多晶硅层;通过所述掺杂剂自所述金属掺杂剂化合物的迁移,在所述金属掺杂剂化合物和所述多晶硅层之间形成的欧姆接触层;沉积在所述多晶硅层上的栅极绝缘层;以及形成在所述栅极绝缘层上的栅电极,其中,所述多晶硅层通过金属诱导的横向结晶而晶化。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约州
国籍：US
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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