专利名称：增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法专利类型：发明专利发明人：王海军
申请号：CN201110310521.3申请日：20111013公开号：CN102768948A公开日：20121107
摘要：本发明公开了一种增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法，包括以下步骤：步骤一、先刻蚀硅表面上的二氧化硅阻挡层；步骤二、去除光刻胶，以二氧化硅作为阻挡层，继续刻蚀硅槽至所需的深度，进行刻蚀形成深的槽；步骤三、通过炉管在沟槽里生长氮化硅膜；步骤四、进行氮化硅的垂直刻蚀，只留下沟槽侧壁的氮化硅；步骤五、进行炉管二氧化硅的成长；步骤六、用化学药液清洗掉侧壁的氮化硅；步骤七、再进行侧壁栅氧的氧化。本发明通过利用氮化硅和二氧化硅的不同选择比，在深沟槽的底部形成底部比沟槽侧壁沟道区域更厚的栅氧，同时在沟槽的顶部更加圆滑，从而提高了深沟槽的IGBT的高温可靠性。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：孙大为
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容