专利名称：化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频
放大器
专利类型：发明专利发明人：小谷淳二,中村哲一申请号：CN201310209732.7申请日：20130530公开号：CN103545361A公开日：20140129
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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