专利名称：存储器设备及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：蒲月强,董金文,陈俊,吕震宇,陶谦,胡禺石,汤召辉,肖
莉红,周玉婷,李思晢,李兆松
申请号：CN202110103308.9申请日：20180419公开号：CN112768453A公开日：20210507
摘要：公开了三维存储器设备的方法和结构。在一个示例中，存储器设备包括具有在第一区域中的一个或多个第一凹槽以及在第二区域中的一个或多个第二凹槽的衬底。衬层设置在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽的侧壁和底部上方，并且外延生长材料形成在第二区域中的所述一个或多个第二凹槽中。一个或多个NAND串形成在设置在所述一个或多个第二凹槽中的外延生长材料上方，以及，一个或多个垂直结构形成在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽上方。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
国籍：CN
代理机构：北京永新同创知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容