专利名称：修整半导体制造用的结构晶片的加工液体和方法专利类型：发明专利发明人：L·C·哈迪,J·L·特赖斯申请号：CN99816442.9申请日：19990608公开号：CN1337983A公开日：20020227
摘要：本发明提供了一类用于修整半导体制造用晶片外露表面的加工液体以及利用该类加工液体来修整半导体制造用晶片的外露表面的方法,以及用前述方法制得的半导体晶片。本发明的加工液体是是含下列初始组分的溶液,这些组分是:氧化剂;离子缓冲剂;钝化剂;选自亚氨基二乙酸及其盐的螯合剂;水。本发明的方法包括下列步骤:a)提供一晶片,它上面有表面经蚀刻形成一定图案的第一种材料和展开在第一种材料表面上的第二种材料;b)在上述加工液体存在条件下,使晶片的第二种材料与磨料接触;c)在第二种材料与磨料接触情况下相对地移动晶片,直至晶片外露表面平坦并包括至少一个第一种材料外露区和第二种材料外露区。
申请人：3M创新有限公司
地址：美国明尼苏达州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：徐迅
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容