（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210039207.0 （22）申请日 2012.02.21
（71）申请人 苏州敏芯微电子技术有限公司
地址 215006 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A2楼213B房间
（10）申请公布号 CN103257005A
（43）申请公布日 2013.08.21
（72）发明人 李刚;胡维
（74）专利代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 杨林洁
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
电容式压力传感器及其制造方法
（57）摘要
本发明揭示了一种可以用于压力测量的电
容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理
气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
法律状态
法律状态公告日
2013-08-21 2013-09-18 2015-09-09 2016-12-14
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
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权利要求说明书
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说明书
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