您的当前位置:首页一种晶圆级芯片封装体的制作方法[发明专利]

一种晶圆级芯片封装体的制作方法[发明专利]

2021-06-28 来源:爱问旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种晶圆级芯片封装体的制作方法专利类型:发明专利

发明人:秦飞,别晓锐,史戈,安彤,肖智轶申请号:CN201610003276.4申请日:20160102公开号:CN105448829A公开日:20160330

摘要:一种晶圆级芯片封装体的制作方法属于半导体芯片封装领域。流程如下:A)提供一晶圆,功能面为正面。正面具有第一钝化层、若干焊盘,焊盘上形成有凸点下金属层;B)晶圆正面切割道位置处形成切割道第一开口C)第一开口内沉积一层第二钝化层;D)第二钝化层上涂覆第一光阻层,并在与焊盘区域对应处形成第一光阻层、第二开口;E)以第一光阻层为掩膜,暴露凸点下金属层;F)第二开口内凸点下金属层上沉积焊料层,G)去除第一光阻层;H)形成微凸点;I)晶圆背面减薄至芯片最终厚度,将晶圆分立为单颗芯片。本发明可避免薄晶圆机械切割时发生裂片,同时只需在芯片之间留出较窄的切割道,提高了晶圆的有效利用率,并阻绝外界环境的侵蚀。

申请人:北京工业大学

地址:100124 北京市朝阳区平乐园100号

国籍:CN

代理机构:北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人:刘萍

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容