专利名称：硅异质结太阳能电池及其发射极专利类型：实用新型专利发明人：龙巍
申请号：CN201822203361.2申请日：20181226公开号：CN209766450U公开日：20191210
摘要：本申请公开了一种硅异质结太阳能电池及其发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
申请人：君泰创新(北京)科技有限公司
地址：100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区荣华南路9号院2号楼10层
国籍：CN
代理机构：北京安信方达知识产权代理有限公司
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