一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高铝硅玻璃

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 111233339 A(43)申请公布日 2020.06.05

(21)申请号 202010203992.3(22)申请日 2020.03.21

(71)申请人 郑州恒昊光学科技有限公司

地址 450000 河南省郑州市经济技术开发

区第二十二大街121号(72)发明人 熊国祥　

(74)专利代理机构 郑州铭晟知识产权代理事务

所(特殊普通合伙) 41134

代理人 张鹏(51)Int.Cl.

C03C 15/00(2006.01)C09K 13/08(2006.01)H04M 1/02(2006.01)

权利要求书1页 说明书4页 附图2页

(54)发明名称

一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高铝硅玻璃(57)摘要

本发明属于玻璃化学蚀刻技术领域，具体涉及一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高铝硅玻璃。该玻璃蚀刻液，包括下述质量百分比的原料：氟化铵5-15wt％、氟化氢铵10-22wt％、氟化氢钾8-18wt％、盐酸5-15wt％、硝酸15-30wt％、氯化钾3-8wt％、硫酸铜1.5-6wt％、NaNO3 3-8wt％、NaH2PO4 3-8wt％、FeCL3 2-5wt％和H2O 10-30wt％；所述玻璃蚀刻液可用于对高铝硅玻璃进行蚀刻，在高铝硅玻璃表面形成类似雪花的凹凸纹理。

CN 111233339 ACN 111233339 A

权　利　要　求　书

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1.一种玻璃蚀刻液，其特征在于，包括下述质量百分比的原料：氟化铵5-15wt％、氟化氢铵10-22wt％、氟化氢钾8-18wt％、盐酸5-15wt％、硝酸15-30wt％、氯化钾3-8wt％、硫酸铜1.5-6wt％、NaNO3 3-8wt％、NaH2PO4 3-8wt％、FeCL3 2-5wt％和H2O 10-30wt％；所述玻璃蚀刻液可用于对高铝硅玻璃进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的玻璃蚀刻液，其特征在于，采用所述蚀刻液对高铝硅玻璃进行蚀刻后，玻璃表面具有凹凸纹理。

3.根据权利要求2所述的玻璃蚀刻液，其特征在于，所述凹凸纹理均匀分布并具有类似雪花的形状。

4.一种高铝硅玻璃的蚀刻方法，其特征在于，采用如权利要求1-3中任意一项所述的高铝硅玻璃蚀刻液进行蚀刻。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)对不需要蚀刻的高铝硅玻璃的表面进行保护；(2)将高铝硅玻璃需要蚀刻的表面用去离子水清洗干净；(3)将经所述步骤(1)和(2)处理后的高铝硅玻璃浸入所述蚀刻液进行蚀刻；所述步骤(3)中蚀刻的温度为20-25℃。

6.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述步骤(3)中蚀刻的蚀刻时间为10-15min。

7.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，还包括将高铝硅玻璃从所述蚀刻液中取出后，用去离子水清洗、干燥的步骤。

8.一种表面具有纹理的高铝硅玻璃，其特征在于，所述表面具有纹理的高铝硅玻璃经如权利要求4-7中任意一项所述的高铝硅玻璃的蚀刻方法处理得到。

9.根据权利要求1所述的表面具有纹理的高铝硅玻璃，其特征在于，所述高铝硅玻璃的透光率为55-65％、光泽度为60-65％、雾度为35-38％、粗糙度为2.5-3.2％、反射率为6.8-7.5％。

10.根据权利要求8或9所述的表面具有纹理的高铝硅玻璃在制备电子设备外壳中的应用。

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说　明　书

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一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高

铝硅玻璃

技术领域

[0001]本发明属于玻璃化学蚀刻技术领域，具体涉及一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高铝硅玻璃。

背景技术

[0002]随着5G信息时代的来临，为防止智能手机信号的遮挡与屏蔽，手机后盖的材质选用主要集中在玻璃与陶瓷方面，高铝硅玻璃以其高强度、高化学稳定性的特性在手机3D玻璃后盖领域得到推广与应用，若能使手机等电子设备的3D玻璃外壳具有雪花或其他为消费者喜爱的图案，将极大的丰富手机等电子设备后盖的装饰档次与内涵，更容易得到消费者的青睐。

[0003]目前国内仅在普通钠钙玻璃表面运用酸蚀刻技术实现了雪花效果，广泛应用于家具装饰、商务空间隔断等领域，还没有在高铝硅玻璃表面实现雪花效果的先例，严重制约了手机玻璃后盖的雪花效果装饰需求，满足不了手机厂商对新品的需求。若采用钠钙玻璃雪花效果的蚀刻液配方对高铝硅玻璃进行蚀刻处理，则会造成雪花效果蚀刻不均匀、雪花颗粒过小、雪花大小不均匀、漏蒙等缺陷，严重制约了高铝硅玻璃雪花效果产品的应用前景。发明内容

[0004]本发明提供一种玻璃蚀刻液，所述玻璃蚀刻液可用于蚀刻高铝硅玻璃，以解决现有技术中的蚀刻液对高铝硅玻璃的蚀刻效果差、高铝硅玻璃表面图案装饰性不能满足美观需求的技术问题。

[0005]本发明的第二目的在于提供了一种高铝硅玻璃的蚀刻方法。

[0006]本发明的第三目的在于提供了一种表面具有纹理的高铝硅玻璃。[0007]本发明的目的还在于提供了所述表面具有纹理的高铝硅玻璃的用途。[0008]本发明的玻璃蚀刻液采用如下技术方案：一种玻璃蚀刻液，包括下述质量百分比的原料：氟化铵5-15wt％、氟化氢铵10-22wt％、氟化氢钾8-18wt％、盐酸5-15wt％、硝酸15-30wt％、氯化钾3-8wt％、硫酸铜1.5-6wt％、NaNO3 3-8wt％、NaH2PO4 3-8wt％、FeCL3 2-5wt％和H2O10-30wt％；所述玻璃蚀刻液可用于对高铝硅玻璃进行蚀刻。[0009]优选的，采用所述蚀刻液对高铝硅玻璃进行蚀刻后，玻璃表面具有凹凸纹理。[0010]优选的，所述凹凸纹理均匀分布并具有类似雪花的形状。[0011]本发明的高铝硅玻璃的蚀刻方法采用如下技术方案：一种高铝硅玻璃的蚀刻方法，采用如上述任意一项所述的高铝硅玻璃蚀刻液进行蚀刻。[0012]优选的，包括下述步骤：(1)对不需要蚀刻的高铝硅玻璃的表面进行保护；(2)将高铝硅玻璃需要蚀刻的表面用去离子水清洗干净；(3)将经所述步骤(1)和(2)处理后的高铝硅玻璃浸入所述蚀刻液进行蚀刻；所述步骤(3)中蚀刻的温度为20-25℃。[0013]优选的，所述步骤(3)中蚀刻的蚀刻时间为10-15min。

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优选的，还包括将高铝硅玻璃从所述蚀刻液中取出后，用去离子水清洗、干燥的步

骤。

本发明的表面具有纹理的高铝硅玻璃采用如下技术方案：所述表面具有纹理的高

铝硅玻璃经如上述任意一项所述的高铝硅玻璃的蚀刻方法处理得到。[0016]优选的，所述高铝硅玻璃的透光率为55-65％、光泽度为60-65％、雾度为35-38％、粗糙度为2.5-3.2％、反射率为6.8-7.5％。

[0017]本发明的表面具有纹理的高铝硅玻璃的用途采用如下技术方案：如上述任意一项所述的表面具有纹理的高铝硅玻璃在制备电子设备外壳中的应用。[0018]本发明的有益效果是：本发明的玻璃蚀刻液可对高铝硅玻璃进行蚀刻，可制备得到表面具有纹理的高铝硅玻璃产品。本发明对高铝硅玻璃蚀刻液的配方进行了成分及含量的优化，选择了NH4F、NH4HF2、KHF2、HCL、HNO3、KCL、CuSO4、NaNO3、NaH2PO4、FeCL3的组合，并且优化了各种原料之间的配比，采用浸泡式酸蚀刻技术，可使高铝硅玻璃表面产生雪花晶型的成长变大和连接，实现高铝硅玻璃表面雪花效果均匀一致、雪花晶型大小一致的目的。[0019]本发明的玻璃蚀刻液对高铝硅玻璃进行蚀刻后，得到的具有类似雪花效果的图案精美(相对于现有技术中的雪花效果玻璃观赏性更好)，可满足智能手机等电子产品领域对外观的需求，且具有良好的光电性能。

[0020]本发明的高铝硅玻璃的蚀刻方法工艺简单实用、容易操作、成本低廉。[0021]本发明的表面具有纹理的高铝硅玻璃装饰性能好，且可满足电子设备领域对高铝硅3D玻璃后盖雪花效果的具体技术指标。

附图说明

[0022]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0023]图1为现有技术中对普通玻璃(钠钙玻璃)进行蒙砂处理的效果图；

[0024]图2为采用本发明的玻璃蚀刻液对高铝硅玻璃蚀刻后得到的蚀刻面的效果图；具体实施方式

[0025]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。[0026]实施例1[0027]⑴、按照如下配比进行高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液的配制(wt％)：NH4F 10.8％、NH4HF2 21.5％、KHF2 11.6％、HCL 5.8％、HNO3 23.5％、KCL 3.8％、CuSO4 1.7％、NaNO33.5％、NaH2PO4 3.8％、FeCL3 2.2％、H2O 11.8％，充分搅拌均匀直至药液呈现完全溶解的透明状态，即制得玻璃蚀刻液。[0028]⑵、将高铝硅玻璃原片不需蚀刻的一面(锡面)用即时贴保护膜进行覆盖保护。

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⑶、将高铝硅玻璃原片需要蚀刻的一面用去离子水清洗干净，在湿式状态下放入

蚀刻液中进行浸泡蚀刻。[0030]⑷、控制蚀刻液温度为20-25℃。控制蚀刻时间为10-15分钟。[0031]⑸、达到蚀刻时间要求后及时从蚀刻液中取出被蚀刻后的玻璃，然后用去离子水清洗干净，并烘干即制得表面具有纹理的高铝硅玻璃。[0032]实施例2[0033]⑴、按照如下配比进行玻璃蚀刻液的配制(wt％)：NH4F 13.6％、NH4HF2 16.5％、KHF215.8％、HCL 7.6％、HNO3 20.5％、KCL 4.6％、CuSO4 2.8％、NaNO3 8％、NaH2PO4 3.0％、FeCL3 2.7％、H2O 10.4％，充分搅拌均匀直至药液呈现完全溶解的透明状态，即制得高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液。[0034]⑵、将高铝硅玻璃原片不需蚀刻的一面(锡面)用即时贴保护膜进行覆盖保护。[0035]⑶、将高铝硅玻璃原片需要蚀刻的一面用去离子水清洗干净，在湿式状态下放入蚀刻液中进行浸泡蚀刻。[0036]⑷、控制蚀刻液温度为20-25℃。控制蚀刻时间为10-15分钟。[0037]⑸、达到蚀刻时间要求后及时从蚀刻液中取出被蚀刻后的玻璃，然后用去离子水清洗干净，并烘干即制得表面具有纹理的高铝硅玻璃。[0038]实施例3[0039]⑴、按照如下配比进行高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液的配制(wt％)：NH4F 15％、NH4HF210％、KHF2 8％、HCL 15％、HNO3 15％、KCL 5％、CuSO4 6％、NaNO3 8％、NaH2PO4 3％、FeCL3 5％、H2O 10％，充分搅拌均匀直至药液呈现完全溶解的透明状态，即制得高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液。[0040]⑵、将高铝硅玻璃不需蚀刻的一面(锡面)用即时贴保护膜进行覆盖保护。[0041]⑶、将高铝硅玻璃原片需要蚀刻的一面用去离子水清洗干净，在湿式状态下放入蚀刻液中进行浸泡蚀刻。[0042]⑷、控制蚀刻液温度为20-25℃。控制蚀刻时间为10-15分钟。[0043]⑸、达到蚀刻时间要求后及时从蚀刻液中取出被蚀刻后的玻璃，然后用去离子水清洗干净，并烘干即制得表面具有纹理的高铝硅玻璃产品。[0044]实施例4[0045]⑴、按照如下配比进行玻璃蚀刻液的配制(wt％)：NH4F 5％、NH4HF2 11％、KHF2 18％、HCL 10％、HNO3 16％、KCL 8％、CuSO4 3％、NaNO3 3％、NaH2PO4 8％、FeCL3 3％、H2O 15％，充分搅拌均匀直至药液呈现完全溶解的透明状态，即制得高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液。[0046]⑵、将高铝硅玻璃原片不需蚀刻的一面(锡面)用即时贴保护膜进行覆盖保护。[0047]⑶、将高铝硅玻璃原片需要蚀刻的一面用去离子水清洗干净，在湿式状态下放入蚀刻液中进行浸泡蚀刻。[0048]⑷、控制蚀刻液温度为20-25℃。控制蚀刻时间为10-15分钟。[0049]⑸、达到蚀刻时间要求后及时从蚀刻液中取出被蚀刻后的玻璃，然后用去离子水清洗干净，并烘干即制得表面具有纹理的高铝硅玻璃产品。[0050]实施例5

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⑴、按照如下配比进行玻璃蚀刻液的配制(wt％)：NH4F 5.5％、NH4HF2 10％、KHF2 

8％、HCL 5％、HNO3 30％、KCL 3.9％、CuSO4 1.5％、NaNO3 3.1％、NaH2PO4 3.5％、FeCL3 2％、H2O 27.5％，充分搅拌均匀直至药液呈现完全溶解的透明状态，即制得高铝硅玻璃雪花效果专用蚀刻液。[0052]⑵、将高铝硅玻璃原片不需蚀刻的一面(锡面)用即时贴保护膜进行覆盖保护。[0053]⑶、将高铝硅玻璃原片需要蚀刻的一面用去离子水清洗干净，在湿式状态下放入蚀刻液中进行浸泡蚀刻。[0054]⑷、控制蚀刻液温度为20-25℃。控制蚀刻时间为10-15分钟。[0055]⑸、达到蚀刻时间要求后及时从蚀刻液中取出被蚀刻后的玻璃，然后用去离子水清洗干净，并烘干即制得表面具有纹理的高铝硅玻璃产品。

[0056]实施例6对高铝硅玻璃原片及实施例1-5制备得到的表面具有纹理的高铝硅玻璃的光泽度、透光率、雾度、粗糙度和反射率进行测试，结果如下表1所示：[0057]表1

[0058]

样品

高铝硅玻璃原片实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5

光泽度(％)110.863.864.563.964.864.1

透光率(％)95.660.359.860.059.960.5

雾度(％)0.0836.235.535.835.536.1

粗糙度(μm)02.83.02.82.92.9

反射率(％)8.87.37.07.27.27.1

[0059]

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精

神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

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说　明　书　附　图

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图1

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图2

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