专利名称：衬底上的氧化物膜专利类型：发明专利
发明人：H·W·怀忒,朱申,Y·赖沃申请号：CN200710186086.1申请日：19990802公开号：CN101174667A公开日：20080507
摘要：公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p－n或n－p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约10受主/cm，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1－50cm/Vs之间。
申请人：密苏里大学
地址：美国密苏里
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李帆
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