(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109426089 A(43)申请公布日 2019.03.05
(21)申请号 201710760381.7(22)申请日 2017.08.30
(71)申请人 福建钧石能源有限公司
地址 362000 福建省泉州市鲤城区南环路
江南高新科技园区(72)发明人 杨与胜 王树林 倪鹏玉 黄致伟 (51)Int.Cl.
G03F 7/20(2006.01)H01L 31/18(2006.01)
权利要求书1页 说明书4页 附图5页
(54)发明名称
一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺(57)摘要
本发明公开了一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，所述工艺包括如下步骤：硅片表面贴上一层保护膜；贴膜后的硅片进入曝光机构进行曝光；曝光后的硅片通过撕膜机构撕去表面保护膜；撕去保护膜后的硅片进入裁切机构进行裁切；完成裁切的硅片送入下一工艺流程。本发明通过提供一种新型的硅片贴膜、曝光和撕膜工艺用于改善传统工艺生产效率低及曝光前因裁切机构裁切干膜产生的干膜屑被带入曝光腔室、不易撕膜而影响硅片贴膜片的曝光良率，从而改善硅片的曝光良率和生产效率，提高太阳能电池片的生产良率和制备质量，降低生产成本。CN 109426089 ACN 109426089 A
权 利 要 求 书
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1.一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，其特征在于：所述工艺包括如下步骤：硅片表面贴上一层保护膜；
贴膜后的硅片进入曝光机构进行曝光；
曝光后的硅片通过撕膜机构撕去表面保护膜；撕去保护膜后的硅片进入裁切机构进行裁切；完成裁切的硅片送入下一工艺流程。
2.根据权利要求1所述一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，其特征在于：所述硅片表面贴上一层保护膜是在硅片的上表面和下表面通过贴膜设备贴上表面有一层保护膜的感光膜。
3.根据权利要求1所述一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，其特征在于：所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进行曝光，每个曝光头曝光一片硅片贴膜片，曝光采用间隔式多片同时曝光的方式。
4.根据权利要求1所述一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，其特征在于：所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进行曝光，每个曝光头曝光多片硅片贴膜片，曝光采用连续式多片同时曝光的方式。
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说 明 书
一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺
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技术领域
[0001]本发明涉及太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺。
背景技术
[0002]HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，其中贴膜、曝光、撕膜是高电导栅线制备工艺的流程之一。如图1，2，3，4，所示，硅片贴膜片300A是在硅片301的上表面和下表面通过某种设备(如贴膜机)100A贴上表面有一层保护膜(如PE膜等)302的感光膜303；HIT太阳能电池片在制备过程中经历的传统贴膜、曝光、撕膜工艺流程示意性描述如图5、6所示；硅片贴膜片300A是在硅片301的上表面和下表面通过某种设备(如贴膜机)100A贴上表面有一层保护膜(如PE膜等)302的感光膜303，然后硅片贴膜片300A通过输送机构传送至裁切机构200A，使得经过裁切机构200A的裁切硅片贴膜片300A被逐个分离出来并经过曝光机构400A逐个进行曝光，曝光后的硅片贴膜片300A根据工艺要求需进入缓存机构500A缓存15min，同时为了便于上下工序的顺利衔接，从缓存机构500A传出来的硅片贴膜片300A需进入缓冲机构600A进行缓冲，最后完成缓冲的硅片贴膜片300A经过输送机构传送至撕膜机构700A，然后由撕膜机构700A撕去硅片贴膜片300A上下表面的的保护膜(如PE膜等)302，这样撕去保护膜(如PE膜等)302的硅片撕膜片301A就完成了传统的贴膜、曝光和撕膜工艺流程并进入下一工艺流程。由于传统的曝光方式采用逐片曝光且曝光之前通过裁切机构200A对硅片贴膜片300A进行裁切，而裁切过程中产生了少量的干膜屑且部分干膜屑被沾附到硅片贴膜片300A的表面并被带入曝光腔室进行曝光，从而影响硅片撕膜片300A的曝光良率和生产效率；同时，此工艺制作撕膜的时候容易带起干膜，造成撕膜工序不易进行；以上均会影响太阳能电池片的生产良率和制备质量。发明内容
[0003]针对上述问题，本发明提供了一种提高HIT太阳能电池的曝光良率和生产效率，提高光电转换效率及生产良率的新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺。[0004]为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，所述工艺包括如下步骤：[0005]硅片表面贴上一层保护膜；
[0006]贴膜后的硅片进入曝光机构进行曝光；
[0007]曝光后的硅片通过撕膜机构撕去表面保护膜；[0008]撕去保护膜后的硅片进入裁切机构进行裁切；[0009]完成裁切的硅片送入下一工艺流程。[0010]进一步的，所述硅片表面贴上一层保护膜是在硅片的上表面和下表面通过贴膜设备贴上表面有一层保护膜的感光膜。[0011]进一步的，所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进
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说 明 书
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行曝光，每个曝光头曝光一片硅片贴膜片，曝光采用间隔式多片同时曝光的方式。[0012]进一步的，所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进行曝光，每个曝光头曝光多片硅片贴膜片，曝光采用连续式多片同时曝光的方式。[0013]由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：[0014]本发明通过提供一种新型的硅片贴膜、曝光和撕膜工艺用于改善传统工艺生产效率低及曝光前因裁切机构裁切干膜产生的干膜屑被带入曝光腔室、不易撕膜而影响硅片贴膜片的曝光良率，从而改善硅片的曝光良率和生产效率，提高太阳能电池片的生产良率和制备质量，降低生产成本。附图说明
[0015]构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：[0016]图1为硅片贴膜片结构示意图；[0017]图2硅片结构示意图；
[0018]图3硅片贴膜片剖面结构示意图；
[0019]图4硅片贴膜片去掉保护膜剖面结构示意图；[0020]图5传统硅片贴膜、曝光、撕膜工艺流程图；[0021]图6传统硅片贴膜、曝光、撕膜工艺示意图[0022]图7为本发明一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺流程图；[0023]图8为本发明实施例1工艺示意图；[0024]图9为本发明实施例1曝光、方式示意图；[0025]图10为本发明实施例2工艺示意图。
具体实施方式
[0026]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。[0027]参考图7，一种新型硅片贴膜、曝光、撕膜工艺，所述工艺包括如下步骤：[0028]1001：硅片表面贴上一层保护膜，是在硅片的上表面和下表面通过贴膜设备贴上表面有一层保护膜的感光膜。；[0029]1002：贴膜后的硅片进入曝光机构进行曝光；
[0030]所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进行曝光，每个曝光头曝光一片硅片贴膜片，曝光采用间隔式多片同时曝光的方式。
[0031]所述曝光机构进行曝光为硅片贴膜片通过输送机构传送至曝光机构进行曝光，每个曝光头曝光多片硅片贴膜片，曝光采用连续式多片同时曝光的方式。[0032]1003：曝光后的硅片通过撕膜机构撕去表面保护膜；[0033]1004：撕去保护膜后的硅片进入裁切机构进行裁切；[0034]1005：完成裁切的硅片送入下一工艺流程。[0035]本发明通过提供一种新型的硅片贴膜、曝光和撕膜工艺用于改善传统工艺生产效
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率低及曝光前因裁切机构裁切干膜产生的干膜屑被带入曝光腔室、不易撕膜而影响硅片贴膜片的曝光良率，从而改善硅片的曝光良率和生产效率，提高太阳能电池片的生产良率和制备质量，降低生产成本。[0036]实施例1[0037]如图1、2、3、4、所示，硅片贴膜片300A是在硅片301的上表面和下表面通过某种设备(如贴膜机)100A贴上表面有一层保护膜(如PE膜等)302的感光膜303，如图8所示，新型的贴膜、曝光和撕膜工艺流程是使硅片301通过贴膜机构100A给硅片301的上表面和下表面贴上表面有一层保护膜(如PE膜等)302的感光膜303，然后硅片贴膜片300A通过输送机构传送至曝光机构401A进行曝光，曝光为每个曝光头曝光一片硅片贴膜片300A，曝光方式采用间隔式曝光，具体如下图9，曝光机为1到N台(N≥1)，每相邻两台曝光机之间的硅片贴膜片300A数量为M(M≥1)个，例如假定有三台曝光机，每相邻的两台曝光机之间有两片硅片贴膜片300A，一号曝光机曝光1号硅片贴膜片300A，二号曝光机曝光4号硅片贴膜片300A，三号曝光机曝光7号硅片贴膜片300A，当1、4、7号硅片贴膜片300A曝光完后，硅片贴膜片300A全部向前移动一个硅片贴膜片300A间距，按照上面方法，依次进行曝光2、5、8；3、6、9；然后硅片贴膜片300A在走一个大的间距，如十片硅片贴膜片300A间距，完成一次循环曝光；即只要符合间隔式曝光方式都为本专利保护范围之内，曝光后的硅片贴膜片300A再经过输送机构传送至撕膜机构700A，然后由撕膜机构700A撕去硅片贴膜片300A上下表面的的保护膜(如PE膜等)302，这样撕去保护膜(如PE膜等)302的硅片撕膜片301A再经过裁切机构200A的裁切使得硅片贴膜片300A被逐个分离出来，就完成了新型的贴膜、曝光和撕膜工艺流程并进入下一工艺流程。由于新型的硅片贴膜、曝光、撕膜工艺采用了先曝光再裁切硅片贴膜片300A的方式，使得硅片贴膜片300A表面附着干膜屑的可能性大大降低从而提高了硅片贴膜片300A的曝光良率，且曝光采用间隔式多片硅片贴膜片300A同时曝光的方式从而进一步提高了硅片贴膜片300A的曝光效率[0038]实施例2
[0039]如图10所示，新型的贴膜、曝光和撕膜工艺流程是使硅片301通过贴膜机构100A给硅片301的上表面和下表面贴上表面有一层保护膜(如PE膜等)302的感光膜303，然后硅片贴膜片300A通过缓存机构和输送机构传送至曝光机构402A进行曝光，曝光方式采用M片(M≥1)硅片贴膜片300A同时曝光，例如假定有2片待曝光的硅片贴膜贴膜片300A，依次编号为1，2，连续曝光方式即同时曝光1，2，此曝光方式适用M片(M≥1)待曝光的硅片贴膜片300A的同时曝光，即只要符合同时曝光方式都为本专利保护范围之内，曝光后的硅片贴膜片300A经过输送机构传送至撕膜机构700A，然后由撕膜机构700A撕去硅片贴膜片300A上下表面的的保护膜(如PE膜等)302，这样撕去保护膜(如PE膜等)302的硅片撕膜片301A传送到裁切机构200A进行裁切，使得硅片贴膜片300A被逐个分离出来，最后就完成了新型的贴膜、曝光和撕膜工艺流程并进入下一工艺流程。由于新型的硅片贴膜、曝光、撕膜工艺采用了先曝光再裁切硅片贴膜片300A的方式，使得硅片贴膜片300A表面附着干膜屑的可能性大大降低从而提高了硅片贴膜片300A的曝光良率，且曝光采用连续方式多片硅片贴膜片300A同时曝光从而进一步提高了硅片贴膜片300A的曝光效率。这对于提高HIT太阳能电池的制备良率，提高光电转换效率及生产良率有着重大意义。
[0040]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精
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神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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