专利名称：版图图形专利类型：发明专利
发明人：王绪根,刘希仕,刘秀勇,朱联合,吴长明,姚振海,陈骆申请号：CN202111438403.0申请日：20211130公开号：CN114156167A公开日：20220308
摘要：本申请公开了一种版图图形，包括：第一图形，其位于管芯区域内，且位于管芯区域的角落；第二图形，其面积大于第一图形的面积，第二图形位于管芯区域内，第二图形和第一图形不重叠；该版图图形应用于对目标晶圆进行光刻处理，目标晶圆上形成有聚酰亚胺层，通过该版图图形进行光刻处理后，目标晶圆上第一图形和第二图形所在的区域暴露，去除第一图形和所述第二图形所在区域的聚酰亚胺层后，需要进行背部减薄处理和正面撕膜处理。本申请通过将管芯区域内面积较小的第一图形设置在管芯区域的角落，从而能够在一定程度上避开撕膜的方向，降低第一图形附近的脱落现象，进而提高了产品的可靠性和良率。
申请人：华虹半导体(无锡)有限公司
地址：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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