专利名称：半导体开关装置和方法专利类型：发明专利
发明人：马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂,彼得鲁斯·许贝
特斯·科内利斯·马涅,伊戈尔·布鲁内斯,让·威廉·斯伦特伯,托尼·范胡克
申请号：CN201810766663.2申请日：20180712公开号：CN109256426A公开日：20190122
摘要：本发明提供一种半导体开关装置以及一种制备所述半导体开关装置的方法。所述装置包括具有主表面的半导体基板。所述装置还包括定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区。所述装置包括定位在所述主表面上的细长栅极。所述装置还包括定位在邻近所述栅极的相应第一和第二细长边缘的所述第一半导体区中的源极区和漏极区。所述装置还包括用于所述源极和漏极区的电接触。所述接触包括定位在所述源极区或漏极区上的至少两个接触，所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开。所述装置另外包括定位在所述至少两个接触之间的隔离区。所述隔离区从所述主表面延伸通过所述源极/漏极区到所述第一半导体区。
申请人：恩智浦有限公司
地址：荷兰埃因霍温高科技园区60
国籍：NL
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：王洵
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