专利名称：半导体开关模块专利类型：发明专利
发明人：沃尔特·阿普费尔巴彻,诺伯特·赖琴巴赫,约翰·塞茨申请号：CN200480044638.X申请日：20041217公开号：CN101084578A公开日：20071205
摘要：本发明涉及一种具有一用平面工艺实施的功率半导体元件(10)的半导体开关模块(1)。其中，所述功率半导体元件(10)包括一基层(110)、一铜层(120)、至少一个安装在所述铜层(120)上的功率半导体芯片(140)以及另一导电层(160)，所述另一导电层覆盖所述功率半导体芯片(140)的至少一个负载连接端(L)。根据本发明，设置有用于将所述负载连接端(L)稳定连接至一负载电路的构件(20，30)。所述构件(20，30)建构为，其通过一接触区域(A)平面地压在所述导电层(160)上。
申请人：西门子公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：张亮
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