专利名称：一种具有双重保护的直流偏磁抑制装置及方法专利类型：发明专利
发明人：马硕,蒋元宇,徐建源,曹辰,陈浩然,吴冠男,王璐,易伟,
王今龙,高歌,刘一潼,王钰潇,于高乐,宋怡
申请号：CN201810834519.8申请日：20180726公开号：CN108711829A公开日：20181026
摘要：本发明属于变压器的直流偏磁技术保护领域，具体涉及一种具有双重保护的直流偏磁抑制装置及方法。所述装置包括：变压器中性线接地开关K、隔直流开关K、隔直流电容器C、保护间隙回路、晶体管保护回路、氧化锌避雷器R、旁路保护开关K、第一电流互感器CT、第二电流互感器CT、信号调理单元、控制单元和驱动单元。所述方法包括：1)进行直流分量检测；2)检测到的直流分量与阈值进行比较，做出相应动作；3)进行交流电流检测；4)检测到的交流电流与阈值进行比较，做出相应动作；4)判断各项动作能否正常进行，做出相应动作；5)交流电网故障解除后，系统归位，返回步骤1。
申请人：沈阳工业大学
地址：110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
国籍：CN
代理机构：沈阳东大知识产权代理有限公司
代理人：李运萍
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