专利名称：使用LPCVD工艺沉积薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：高剑鸣,王秉国申请号：CN201010022721.4申请日：20100108公开号：CN102121099A公开日：20110713
摘要：本发明公开了一种使用低压化学气相沉积工艺沉积薄膜的方法，该方法包括：在稳定阶段和沉积阶段中，维持炉管的加热器中的各个温区的温度不变，且各个温区的温度值按照各个温区的位置从上到下的顺序依次减小；在晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、后清除阶段、返压阶段和晶舟卸载阶段中的至少一个阶段中，调整炉管的加热器中的各个温区的温度。通过使用本发明所提供的方法，可有效地减小在薄膜的形成过程中装载在晶舟上的各个晶圆之间的热预算差值，改善半导体元器件的电学性能，提高所生产的半导体元器件的良率，降低制造成本。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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