（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201620817453.8 （22）申请日 2016.08.01
（71）申请人 中国电子科技集团公司第四十六研究所
地址 300220 天津市河西区洞庭路26号
（10）申请公布号 CN205856654U
（43）申请公布日 2017.01.04
（72）发明人 练小正;徐永宽;程红娟;于凯;张政;张颖武;霍晓青;李璐杰;张志鹏 （74）专利代理机构 天津中环专利商标代理有限公司
代理人 王凤英
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
（57）摘要
本实用新型公开了一种有效抑制氧化镓晶
体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏的氧化锆内保温筒；覆盖在铱反射屏之上的上部保温部件，其上留有籽晶杆入口；环绕氧化锆内保温筒的中部保温部件；环绕铱坩埚和发热体的下部保
温部件。该装置设计能够减少铱坩埚的损耗，有效抑制晶体内部杂质元素的含量，从而能够很好地抑制晶体内部缺陷，延长坩埚使用寿命，为实现大规模生产高质量、低成本的氧化镓单晶奠定了基础。
法律状态
法律状态公告日
2017-01-04
法律状态信息
授权
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权利要求说明书
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说明书
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