（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201811058526.X （22）申请日 2018.09.11
（71）申请人 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋
（10）申请公布号 CN109251148A
（43）申请公布日 2019.01.22
305室
（72）发明人 迟明明;李相烨;洪澈广;王煦;李先杰
（74）专利代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人 黄威
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
覆盖层分子结构、制作方法及对应的OLED器件
（57）摘要
本发明提供一种覆盖层分子结构，其包括
由第一中心结构和第二中心结构键合而成的高分子结构，其中第一中心结构为9,9‑二甲基‑2‑溴芴、2‑溴‑9,9'‑螺二芴以及2‑溴‑9,9‑二苯基芴其中之一；第二中心结构为3‑对甲苯‑4‑间甲苯‑二苯胺以及4，4’‑二(3,5‑二甲苯)‑二苯胺其中之一。本发明还提供一种覆盖层分子结构的制作方法及OLED器件。本发明降低了OLED器件的制作成
本，减小的OLED器件的制作难度。
法律状态
法律状态公告日
2019-01-22 2019-01-22 2019-02-22
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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法律状态
实质审查的生效
权利要求说明书
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说明书
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