专利名称：用于拉制单晶硅的加热体结构专利类型：实用新型专利发明人：刘波
申请号：CN201620917708.8申请日：20160823公开号：CN205934122U公开日：20170208
摘要：本实用新型提供一种结构设计新颖、合理、可用于大直径单晶的生产、且能够保证其生产效率的用于拉制单晶硅的加热体结构；它包括导电盘，所述导电盘的中部向内凹陷构成弧面，在所述弧面上设有至少五个环绕所述导电盘中心设置的通孔；在所述弧面的中部开设有椭圆形开口，并在所述导电盘上沿该导电盘的半径设有一缺口带，所述缺口带的外端贯穿所述导电盘设置，所述缺口带的内端与所述椭圆形开口连通，其中与所述缺口带相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘的弧面上设有一直径小于所述通孔的开口，所述开口通过贯穿所述弧面上的开口带与所述椭圆形开口连通。
申请人：九江市庐山新华电子有限公司
地址：330007 江西省九江市濂溪大道85号
国籍：CN
代理机构：南昌青远专利代理事务所(普通合伙)
代理人：张以标
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