（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310317731.4 （22）申请日 2013.07.25
（71）申请人 上海宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
（10）申请公布号 CN103390542A
（43）申请公布日 2013.11.13
（72）发明人 赵波
（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 张亚利
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
MIM电容器的形成方法
（57）摘要
一种MIM电容器的形成方法，包括：提供
基底；在100-200℃温度范围内，去除所述基底表面的水汽；去除所述水汽后，在所述基底上形成AlCu层；在所述AlCu层上形成介质层；在所述介质层上形成金属层。本发明形成的MIM电容器具有较高的平均击穿电压值，而且MIM电容器各处的击穿电压值相差很小。
法律状态
法律状态公告日
2013-11-13 2013-11-13 2014-05-07 2014-05-07 2014-07-30 2014-07-30 2017-08-18
法律状态信息
公开 公开
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开 公开
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
MIM电容器的形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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